电气特性：预偏置PNP晶体管（ Q1 ）
（续）
新产品
小信号特性
过渡频率（增益带宽积）
集电极电容（ Ccbo输出
电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
f
T
C
C
200
5
兆赫
pF
V
CE
= -10V ，我
E
= -5mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A,
F = 1MHz的
预偏置的NPN晶体管（ Q2 ）
特征
开关特性
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流
发射基截断电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
输出电压OFF
输入过电压
OUPUT CURRENT
基本特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
OH
V
我（关闭）
I
O（关）
民
50
50
4.6
典型值
1.2
0.06
0.06
0.042
0.026
0.272
0.28
58
0.12
1.6
10
1
最大
100
1
500
0.8
1
0.1
0.1
0.06
0.04
0.35
0.35
3.5
0.2
0.88
1.195
1.02
13
1.2
W
V
V
mA
V
V
KW
V
单位
nA
mA
mA
V
V
V
V
mA
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CC
= 5V, V
B
= 0.05V,
R
L
= 1KW
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V,
R
L
= 1KW
V
O
= 0.3V时，我
C
= 2毫安
V
I
= 5V
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
I
C
= 1mA时，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A,
F = 1MHz的
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
等效的导通电阻*
R
CE （SAT）
12
45
直流电流增益
h
FE
130
70
40
输出电压上
输入电压
输入电流
基射极导通电压
基射极饱和电压
输入电阻+/- 30 ％ （基地）
电阻率
小信号特性
跃迁频率
（增益带宽积）
集电极电容（ Ccbo输出
电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
V
OL
V
我（上）
I
i
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
R1
(R2/R1)
2.8
7
0.8
f
T
C
C
250
4
兆赫
pF
DS30871修订版3 - 2
3 8
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DCX4710H
