无铅绿色
DCX4710H
百毫安双路互补预偏置
晶体管
概述
新产品
·
DCX4710H是最适合的应用场合的负载
需要被打开和关闭使用微控制器接通，
特别是在一个点的比较器或其它控制电路
负载。它拥有一个独立的预基于PNP晶体管，
可以支持100 mA的连续最大电流。这也
包含预基于NPN晶体管可被用作
控制，因此可以使用较高的电源被偏置。该
组件设备可以用作电路或作为一个部分
独立的分立器件。
4
5
6
3
2
1
图。 1 ： SOT- 563
特点
·
·
·
·
·
内置偏置电阻
外延平面片建设
非常适合于自动装配程序
铅的设计免费/符合RoHS （注1 ）
"Green"设备（注2 ）
R2
10k
CQ1
6
BQ2
5
EQ2
4
机械数据
·
·
·
·
·
·
·
·
Q1
DDTA114YE_DIE
R1
10k
R2
47k
R1
Q2
10k
案例： SOT- 563
外壳材料：模压塑料。 "Green Molding"复合。
UL可燃性分类额定值94V- 0
湿度敏感性：每J- STD- 020C 1级
终端连接：见图。 2
码头：完成 - 雾锡比退火铜
引线框架。每MIL -STD- 202方法208
标识&类型代码信息：参见第7页
订购信息：见第7页
重量：0.005克数（近似值）
子组件P / N
DDTA114YE_DIE
DDTC114EE_DIE
参考
Q1
Q2
设备类型
PNP
NPN
1
EQ1
DDTC114EE_DIE
2
BQ1
3
CQ2
图。 2 ：原理图和引脚配置
R1 （ NOM ）
10KW
10KW
R2 （ NOM ）
47KW
10KW
科幻gure
2
2
最大额定值：共有设备
特征
功率耗散（注3 ）
功率降额因子在45℃以上
输出电流
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
P
d
P
DER
I
OUT
价值
150
1.43
100
单位
mW
毫瓦/°C的
mA
热特性
特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
T
j
, T
英镑
R
qJA
价值
-55到+150
833
单位
°C
° C / W
结操作和存储温度范围
热阻，结到环境空气（注3 ）
（相当于PNP晶体管的一个加热的交界处）
注意事项：
1.没有故意添加铅。
2 。二极管公司的"Green"政策，可以在我们的网站上找到在http ： /www.diodes.com/products/lead_free/index.php 。
3.设备安装在FR- 4 PCB ， 1英寸× 0.85英寸× 0.062英寸;按照二极管公司建议焊盘布局文件AP02001在我们的网站
在http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf 。
DS30871修订版3 - 2
1第8
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DCX4710H
Diodes公司
电气特性：预偏置PNP晶体管（ Q1 ）
（续）
新产品
小信号特性
过渡频率（增益带宽积）
集电极电容（ Ccbo输出
电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
f
T
C
C
200
5
兆赫
pF
V
CE
= -10V ，我
E
= -5mA ，
F = 100MHz的
V
CB
= -10V ，我
E
= 0A,
F = 1MHz的
预偏置的NPN晶体管（ Q2 ）
特征
开关特性
集电极 - 基极截断电流
集电极 - 发射极断路开关电流
发射基截断电流
集电极 - 基极击穿电压
集电极 - 发射极击穿电压
输出电压OFF
输入过电压
OUPUT CURRENT
基本特征
@ T
A
= 25 ° C除非另有说明
符号
I
CBO
I
首席执行官
I
EBO
V
（ BR ） CBO
V
（ BR ） CEO
V
OH
V
我（关闭）
I
O（关）
民
50
50
4.6
典型值
1.2
0.06
0.06
0.042
0.026
0.272
0.28
58
0.12
1.6
10
1
最大
100
1
500
0.8
1
0.1
0.1
0.06
0.04
0.35
0.35
3.5
0.2
0.88
1.195
1.02
13
1.2
W
V
V
mA
V
V
KW
V
单位
nA
mA
mA
V
V
V
V
mA
测试条件
V
CB
= 50V ，我
E
= 0
V
CE
= 50V ，我
B
= 0
V
EB
= 5V ，我
C
= 0
I
C
= 10
毫安，
I
E
= 0
I
C
= 2毫安，我
B
= 0
V
CC
= 5V, V
B
= 0.05V,
R
L
= 1KW
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CC
= 50V, V
I
= 0V
I
C
= 5毫安，我
B
= 0.25毫安
I
C
= 10毫安，我
B
- 0.5毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 1毫安
I
C
= 10毫安，我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 5毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
I
C
= 100mA时我
B
= 10毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 1毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 5毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 50毫安
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
V
CE
= 10V ，我
C
= 5毫安
V
CC
= 5V, V
B
= 2.5V,
R
L
= 1KW
V
O
= 0.3V时，我
C
= 2毫安
V
I
= 5V
V
CE
= 5V ，我
C
= 100毫安
I
C
= 1mA时，我
B
= 50毫安
V
CE
= 10V ，我
E
= 5毫安，
F = 100MHz的
V
CB
= 10V ，我
E
= 0A,
F = 1MHz的
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE （SAT）
等效的导通电阻*
R
CE （SAT）
12
45
直流电流增益
h
FE
130
70
40
输出电压上
输入电压
输入电流
基射极导通电压
基射极饱和电压
输入电阻+/- 30 ％ （基地）
电阻率
小信号特性
跃迁频率
（增益带宽积）
集电极电容（ Ccbo输出
电容）
*脉冲测试：脉冲宽度， tp<300美国，占空比， d< = 0.02
V
OL
V
我（上）
I
i
V
BE（上）
V
BE （ SAT ）
R1
(R2/R1)
2.8
7
0.8
f
T
C
C
250
4
兆赫
pF
DS30871修订版3 - 2
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