DCR1910V85
相位控制晶闸管
初步信息
DS5878-1.1 2006年11月（ LN24964 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
8500V
1910A
25000A
1500V/s
300A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
*
较高的dV / dt可用的选项
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
8500
8000
7500
7000
条件
DCR1910V85
DCR1910V80
DCR1910V75
DCR1910V70
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= I
RRM
= 300毫安，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR1910V85
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
外形类型代码： V
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
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DCR1910V85
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°
C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125 °门打开
C,
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°
C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
300
1500
150
300
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A to1000A在T
例
= 125°
C
1000A到7200A在T
例
= 125°
C
100A至1000A在T
例
= 125°
C
1000A到7200A在T
例
= 125°
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°
C
-
-
-
-
待定
0.9
1.3
0.888
0.55
待定
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125° V
R
= 200V ，的di / dt = 1A / μs的，
C,
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
1200
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ，T
j
= 125 °的di / dt - 1A / μs的，
C,
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
=
∞,
I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
C,
4800
待定
待定
8000
待定
待定
C
mA
mA
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DCR1910V85
半导体
10
130
最大外壳温度，T
例
( C )
9
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1000
2000
意味着功耗 - （千瓦）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
180
120
90
60
30
180
120
90
60
30
o
3000
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
(
o
C )
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
2000
2500
180
120
90
60
30
12
11
10
散热器
-
意味着功耗 - （千瓦）
最大的散热片温度，T
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
特区
180
120
90
60
30
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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相位控制晶闸管
初步信息
2008年DS5878-1.4月（ LN26212 ）
特点
双面冷却
高浪涌能力
主要参数
V
DRM
I
T（ AV ）
I
TSM
的dV / dt *
的di / dt
8500V
1910A
25000A
1500V/s
300A/s
应用
高功率驱动器
高压电源
静态开关
电压额定值
第一部分和
订购
数
重复峰值
电压
V
DRM
和V
RRM
V
8500
8000
7500
7000
条件
*
较高的dV / dt可用的选项
DCR1910V85*
DCR1910V80
DCR1910V75
DCR1910V70
T
vj
= -40°至125°
C
C,
I
DRM
= I
RRM
= 300毫安，
V
DRM
, V
RRM
t
p
= 10ms时，
V
帝斯曼
＆放大器; V
RSM
=
V
DRM
＆放大器; V
RRM
+ 100V
分别
较低的电压等级。
0
0
* 8200V @ -40℃ ， 8500V @ 0℃
订购信息
订购时，选择所需的部件号
在电压等级选择表所示。
例如：
DCR1910V85
注：请使用完整的部件号订购时
并引述任何今后的对应这个号码
关于您的订单。
外形类型代码： V
（见包的详细信息以获取更多信息）
图。 1封装外形
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DCR1910V85
半导体
动态特性
符号
I
RRM
/I
DRM
dv / dt的
的di / dt
参数
反向峰值和关态电流
马克斯。断态电压上升率直线
率通态电流上升
测试条件
在V
RRM
/V
DRM
, T
例
= 125°
C
到67 ％的V
DRM
, T
j
= 125 °门打开
C,
从67 ％V
DRM
2倍我
T（ AV ）
门源30V ， 10 ，
t
r
< 0.5μs的，T
j
= 125°
C
50Hz的重复
不重复
分钟。
-
-
-
-
马克斯。
300
1500
150
300
单位
mA
V / μs的
A / μs的
A / μs的
V
T（ TO ）
阈值电压 - 低等级
阈值电压 - 高层
100A to1000A在T
例
= 125°
C
1000A到7200A在T
例
= 125°
C
100A至1000A在T
例
= 125°
C
1000A到7200A在T
例
= 125°
C
V
D
= 67% V
DRM
，门源30V ， 10
t
r
= 0.5μs的，T
j
= 25°
C
-
-
-
-
-
0.9
1.3
0.888
0.55
3
V
V
m
m
s
r
T
通态斜率电阻 - 低级别
通态斜率电阻 - 高层
t
gd
延迟时间
t
q
打开-O FF时间
T
j
= 125° V
R
= 200V ，的di / dt = 1A / μs的，
C,
dV
DR
/ DT = 20V / μs的线性
-
1200
s
Q
S
I
L
I
H
存储电荷
闭锁电流
保持电流
I
T
= 2000A ，T
j
= 125 °的di / dt - 1A / μs的，
C,
T
j
= 25° V
D
= 5V
C,
T
j
= 25° R
克-K
= , I
TM
= 500A ，我
T
= 5A
C,
4800
-
-
8000
3
300
C
A
mA
3/10
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DCR1910V85
半导体
10
130
最大外壳温度，T
例
( C )
9
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1000
2000
意味着功耗 - （千瓦）
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000
1500
2000
2500
180
120
90
60
30
180
120
90
60
30
o
3000
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图3通态功耗 - 正弦波
图4最大允许情况下，
双面冷却 - 正弦波
12
180
120
90
60
30
(
o
C )
130
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
0
500
1000
1500
2000
2500
11
10
散热器
-
意味着功耗 - （千瓦）
最大的散热片温度，T
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
0
500
1000 1500 2000 2500 3000 3500
特区
180
120
90
60
30
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
意思是通态电流I
T（ AV ）
- (A)
图5.最大允许的散热器温度，
双面冷却 - 正弦波
图6通态功耗 - 矩形波
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