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IS64LV6416L
64K ×16高速CMOS静态
与3.3V供电的RAM
特点
高速存取时间: 10 , 12纳秒
CMOS低功耗运行:
250毫瓦(典型值)的操作
250 μW (典型值)待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作:无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
温度祭
选择A1 : -40
o
C至+ 85
o
C
选择A2 : -40
o
C至+105
o
C
选项A3 : -40
o
C至+ 125
o
C
ISSI
2003年5月
描述
ISSI
IS64LV6416L是一个高速, 1048576位
静态RAM (16位)组织为65,536字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术,产量访问时间
尽可能快10纳秒的低功耗。
CE
为高(取消) ,器件处于
待机模式下,在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展,通过使用芯片提供
启用和输出使能输入,
CE
OE 。
活跃
LOW写使能(WE )控制写入和读
的存储器中。一个数据字节允许高字节( UB )和
低字节( LB )的访问。
该IS64LV6416L打包在JEDEC标准
44针TSOP -II ,和48针微型BGA ( 6× 8毫米) 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
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集成的芯片解决方案,公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
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