IS64LV6416L
64K ×16高速CMOS静态
与3.3V供电的RAM
特点
高速存取时间： 10 ， 12纳秒
CMOS低功耗运行：
250毫瓦（典型值）的操作
250 μW （典型值）待机
TTL兼容接口电平
单3.3V电源
全静态操作：无时钟或刷新
需要
三态输出
为上下字节的数据控制
工业应用温度
温度祭
选择A1 ： -40
o
C至+ 85
o
C
选择A2 ： -40
o
C至+105
o
C
选项A3 ： -40
o
C至+ 125
o
C
ISSI
2003年5月
描述
该
ISSI
IS64LV6416L是一个高速， 1048576位
静态RAM （16位）组织为65,536字。这是
使用制造
ISSI
的高性能CMOS
技术。这再加上高度可靠的工艺
创新的电路设计技术，产量访问时间
尽可能快10纳秒的低功耗。
当
CE
为高（取消） ，器件处于
待机模式下，在该功耗可
与CMOS输入电平降低下来。
易内存扩展，通过使用芯片提供
启用和输出使能输入，
CE
和
OE 。
活跃
LOW写使能（WE ）控制写入和读
的存储器中。一个数据字节允许高字节（ UB ）和
低字节（ LB ）的访问。
该IS64LV6416L打包在JEDEC标准
44针TSOP -II ，和48针微型BGA （ 6× 8毫米） 。
功能框图
A0-A15
解码器
64K ×16
存储阵列
V
DD
GND
I/O0-I/O7
低字节
I/O8-I/O15
高字节
I / O
数据
电路
列I / O
CE
OE
WE
UB
LB
控制
电路
版权所有2003集成的芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候，恕不另行通知。 ISSI不承担任何责任
所产生的本文所述的任何信息，产品或服务的使用或应用。建议客户依赖于任何之前获得此设备规范的最新版本
公布的信息及订货产品之前。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
1
IS64LV6416L
销刀豆网络gurations
44引脚TSOP - II （ T）
ISSI
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
A0
A1
A2
OE
UB
LB
I/O15
I/O14
I/O13
I/O12
GND
V
DD
I/O11
I/O10
I/O9
I/O8
NC
A3
A4
A5
A6
NC
A15
A14
A13
A12
A11
CE
I/O0
I/O1
I/O2
I/O3
V
DD
GND
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
WE
A10
A9
A8
A7
NC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
48引脚小型BGA封装（ 6× 8毫米） （B ）
1
2
3
4
5
6
引脚说明
A0-A15
I/O0-I/O15
CE
OE
WE
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
输出使能输入
写使能输入
低字节控制（ I / O0 -I / O7 ）
上个字节的控制（ I / O8 -I / O15 ）
无连接
动力
地
A
B
C
D
E
F
G
H
LB
I / O
8
I / O
9
GND
V
DD
I / O
14
I / O
15
NC
OE
UB
I / O
10
I / O
11
I / O
12
I / O
13
NC
A8
A0
A3
A5
NC
NC
A14
A12
A9
A1
A4
A6
A7
NC
A15
A13
A10
A2
CE
I / O
1
I / O
3
I / O
4
I / O
5
WE
A11
NC
I / O
0
I / O
2
V
DD
GND
I / O
6
I / O
7
NC
LB
UB
NC
V
DD
GND
2
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
IS64LV6416L
真值表
模式
未选择
输出禁用
读
WE
X
H
X
H
H
H
L
L
L
CE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
OE
X
H
X
L
L
L
X
X
X
LB
X
X
H
L
H
L
L
H
L
UB
X
X
H
H
L
L
H
L
L
I / O引脚
I/O0-I/O7
I/O8-I/O15
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
高-Z
D
OUT
D
IN
高-Z
D
IN
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
D
OUT
D
OUT
高-Z
D
IN
D
IN
ISSI
V
DD
当前
I
SB
1
, I
SB
2
I
CC
I
CC
1
2
3
4
写
I
CC
绝对最大额定值
(1)
符号
V
TERM
T
英镑
P
T
I
OUT
参数
相对于GND端子电压
储存温度
功耗
直流输出电流（低）
价值
-0.5到V
DD
+0.5
-65到+150
1.5
20
单位
V
°C
W
mA
5
6
7
8
9
注意：
1.应力超过绝对最大额定值可能会导致器件永久性损坏。这是一个
值仅为器件在这些或以上的任何其他条件的功能操作在操作说明
本规范的部分将得不到保证。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响
可靠性。
工作范围
选项
A1
A2
A3
环境温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 105°C
-40 ° C至+ 125°C
V
DD
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
3.3V ± 10%
DC电气特性
（以上经营范围）
符号
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
LI
I
LO
参数
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
(1)
输入漏
输出漏
GND
≤
V
IN
≤
V
DD
GND
≤
V
OUT
≤
V
DD
，输出禁用
测试条件
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
A1, A2
A3
选项
分钟。
2.4
—
—
2
–0.3
–2
–2
马克斯。
—
0.4
0.5
V
DD
+ 0.3
0.8
2
2
单位
V
V
V
V
V
A
A
10
11
12
注意事项：
1. V
IL
（分） = -2.0V为脉冲宽度小于10纳秒。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
3
IS64LV6416L
电源特性
(1)
（以上经营范围）
符号参数
I
CC
V
DD
工作动态
电源电流
TTL待机电流
（ TTL输入）
CMOS待机
电流（ CMOS输入）
测试条件
V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA时，女= F
最大
V
DD
=最大，
V
IN
= V
IH
或V
IL
CE
≥
V
IH
, f = 0
V
DD
=最大，
CE
≥
V
DD
– 0.2V,
V
IN
≥
V
DD
- 0.2V ，或
V
IN
≤
0.2V ， F = 0
A1
A2
A3
I
SB
1
A1
A2
A3
A1
A2
A3
典型值
(2)
-10 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
95
—
—
15
—
—
2
—
—
0.5
-12 NS
分钟。马克斯。
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
105
115
—
18
20
—
3
5
0.5
ISSI
单位
mA
mA
I
SB
2
mA
注意：
1.在f = F
最大
，地址和数据输入被循环在最大的频率f = 0，表示无输入线发生变化。
2.典型的值在V测量
DD
= 3.3V ，T
A
= 25
o
C和不是100 ％测试。
电容
(1)
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输入/输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
OUT
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注意：
1.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
4
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
IS64LV6416L
AC测试条件
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序
和参考电平
输出负载
单位
0V至3.0V
3纳秒
1.5V
请参阅图1a和1b
ISSI
1
2
3
AC测试负载
319
3.3V
3.3V
319
4
353
产量
30 pF的
INCLUDING
夹具
范围
353
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
5
6
7
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
图1A 。
图1B 。
读周期开关特性
（以上经营范围）
符号
参数
读周期时间
地址访问时间
输出保持时间
CE
存取时间
OE
存取时间
OE
到输出高阻态
OE
以低Z输出
CE
到输出高阻态
CE
以低Z输出
LB ， UB
存取时间
LB ， UB
到输出高阻态
LB ， UB
以低Z输出
-10 NS
分钟。马克斯。
10
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
10
—
10
5
5
—
5
—
6
5
—
-12 NS
分钟。马克斯。
12
—
3
—
—
—
0
0
3
—
0
0
—
12
—
12
6
6
—
6
—
6
6
—
(1)
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
(2)
t
LZOE
(2)
t
HZCE
(2
t
LZCE
(2)
t
BA
t
HZB
t
LZB
8
9
10
11
12
注意事项：
1.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V和
在图1a中指定的输出负载。
2.测试，与图1b中的负荷。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。未经100％测试。
集成的芯片解决方案，公司 - www.issi.com -
1-800-379-4774
版本C
05/02/03
5
QQ：2880707522 复制
