高垒硅肖特基二极管：
大桥Octoquad
V 2.00
MA4E2099-1284
特点
n
n
n
n
n
n
ODS- 1284外形（冠捷）
专为高动态范围的应用
低寄生Capitance和电感
低寄生电阻
推荐DC- 12GHz的
与每一个结均匀电气特性
坚固HMIC建设与聚酰亚胺划痕
保护
描述
该MA4E2099-1284桥Octoquad供高
动态范围的应用。该设备与构建
高硅势垒肖特基二极管制成的
专利异类微波集成电路（ HMIC ）
流程，以确保电气特性的均匀性为每
结。 HMIC电路由硅底座的这
形成二极管或通路导体嵌入玻璃电介质，
它充当低色散，低损失，微带
传输介质。硅和玻璃的组合
允许HMIC器件具有优异的损耗和功率
在低调耗散特性，可靠的设备。
应用
该装置可在较高的动力混合器，检测器被使用，并且
到12 GHz的限幅电路。
暗淡
A
B
C
英寸
MILLIMETERS
分钟。
0.0285
0.0285
0.0040
0.0035
0.0165
马克斯。
0.0297
0.0297
0.0060
0.0043
0.0173
分钟。
0.725
0.725
0.102
0.090
0.420
马克斯。
0.755
0.755
0.153
0.110
0.440
绝对最大额定值
1
@ +25 °C
参数
工作温度
储存温度
正向电流
反向电压
RF C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
价值
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+150°C
20毫安
升-9 V升
+ 25 dBm的
100毫瓦
平方米。
E
等效电路
2
1
3
4
1.超过任何这些值可能会导致永久性的
损坏
1
