高垒硅肖特基二极管：
大桥Octoquad
V 2.00
MA4E2099-1284
特点
n
n
n
n
n
n
ODS- 1284外形（冠捷）
专为高动态范围的应用
低寄生Capitance和电感
低寄生电阻
推荐DC- 12GHz的
与每一个结均匀电气特性
坚固HMIC建设与聚酰亚胺划痕
保护
描述
该MA4E2099-1284桥Octoquad供高
动态范围的应用。该设备与构建
高硅势垒肖特基二极管制成的
专利异类微波集成电路（ HMIC ）
流程，以确保电气特性的均匀性为每
结。 HMIC电路由硅底座的这
形成二极管或通路导体嵌入玻璃电介质，
它充当低色散，低损失，微带
传输介质。硅和玻璃的组合
允许HMIC器件具有优异的损耗和功率
在低调耗散特性，可靠的设备。
应用
该装置可在较高的动力混合器，检测器被使用，并且
到12 GHz的限幅电路。
暗淡
A
B
C
英寸
MILLIMETERS
分钟。
0.0285
0.0285
0.0040
0.0035
0.0165
马克斯。
0.0297
0.0297
0.0060
0.0043
0.0173
分钟。
0.725
0.725
0.102
0.090
0.420
马克斯。
0.755
0.755
0.153
0.110
0.440
绝对最大额定值
1
@ +25 °C
参数
工作温度
储存温度
正向电流
反向电压
RF C.W.入射功率
RF &直流耗散功率
价值
-55 ° C至+150°C
-55 ° C至+150°C
20毫安
升-9 V升
+ 25 dBm的
100毫瓦
平方米。
E
等效电路
2
1
3
4
1.超过任何这些值可能会导致永久性的
损坏
1
高垒硅肖特基二极管：大桥Octoquad
MA4E2099-1284
V 2.00
电气连接特定的阳离子@ 25°C
（测得相邻的端口： 1-2 ， 2-3 ， 3-4 ， 4-1 ）
部分
数
VF @ 1毫安
(V)
VF @ 10毫安
(V)
CT @ 0V
（PF ）
VB @ 10
A
(V )
RT斜率电阻
（ Vf1的 - Vf2的） /
（10.5毫安9.5毫安）
(
)
最大
16
民
MA4E2099-1284
1.08
最大
1.24
民
1.32
最大
1.52
典型值
0.16
民
9
Rt是动态的斜率电阻其中rt = RS +的Rj ，那里的Rj = 26 IDC / （ IDC是在MA）和卢比的欧姆电阻。
处理
所有的半导体芯片应该小心，避免被处理
从汗液和皮肤损伤或污染。该
使用塑料尖镊子或真空皮卡强烈
推荐用于各个组件。的顶表面上
该模具具有一个保护性的聚酰亚胺涂层，以减少损失。
批量处理应确保耐磨性和机械
震动最小。
坚固的结构，这些HMIC设备允许使用
标准的处理和芯片粘接技术。重要的是
然而要注意的是工业标准的静电放电
是必需的（ESD）的控制在任何时候，由于敏感
有一个0级评级肖特基器件的性质。
芯片粘接
管芯附着于这些设备是通过使用制成
传统的镀金芯片粘接技术。真空
筒夹或塑料镊子被推荐用于设备
放置到电路或接地平面。该装置
背面金属由大约0.3微米的Ti-的Pt- Au等。
这种金属化方案允许芯片连接到硬
软底物（用于经由接地）和Au镀覆金属
地平面与80AU / 20Sn和锡63 / Pb37的焊料。该
最大的时间 - 温度分布是300
°
下进行5秒。
模具附件与电气回路中
导电银环氧树脂也是可以接受的。
芯片粘接
线材和丝带结合，从顶面焊垫到
电路可以完成与1密耳的直径。金线或
×3万平方米，金色丝带。球焊，楔焊，或
热压接都是可以接受的。该
管芯的顶面的保护用耐久的聚合物为
冲击和划伤保护。
2
M / A - COM公司及其附属公司保留更改产品的权利（ S）
或此处包含的信息，恕不另行通知。
访问www.macom.com额外的数据表和产品信息。
n
北美：
电话： （ 800 ） 366-2266
n
亚洲/太平洋网络C：
电话： + 81-44-844-8296传真+ 81-44-844-8298
n
欧洲：
电话： +44 （1908 ） 574 200传真：+ 44 （ 1908） 574 300
高垒硅肖特基二极管：大桥Octoquad
MA4E2099-1284
V 2.00
MA4E2099-1284高阻隔SPICE参数（每个二极管）
Is
（ nA的）
5.7 E-2
Rs
(
)
6
N
1.20
Cj0
（PF ）
2.4 E-1
M
0.5
Ik
（MA ）
4
Vj
(V)
8.0 E-2
FC
0.5
BV
(V)
5.0
IBV
（MA ）
1.0 E-2
订购信息
产品型号
MA4E2099-1284W
MA4E2099-1284
MA4E2099-1284T
包
晶片上的相框
死在运营商
磁带/卷
3
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