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富士通半导体
数据表
DS05-11431-3E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
64M位（4M字
×
16位）的
手机专用内存
MB82DP04183C
-65L
■
描述
富士通MB82DP04183C是一个CMOS快速循环随机存储器（ FCRAM * ）异步
静态随机存取存储器（ SRAM）的接口含有67108864存储器中的16位格式访问。
MB82DP04183C使用的是富士通FCRAM先进的核心技术，并利用在提高整合
相较于普通的SRAM 。
这MB82DP04183C适合于移动应用，如蜂窝手机和PDA 。
*： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。
■
产品阵容
参数
访问时间（最大）（T
CE
, t
AA
)
工作电流（最大值） （我
DDA1
)
待机电流（最大值） （我
DDS1
)
掉电电流（最大值） （我
DDPS
)
MB82DP04183C-65L
65纳秒
40毫安
90
A
10
A
■
特点
异步SRAM接口
快速访问周期时间：吨
AA
= t
CE
= 65 ns（最大值）
8个字第接入能力：吨
PAA
= 20 ns（最大值）
低电压工作条件： V
DD
= 2.6 V至3.1 V
宽工作温度：T已
A
= -30 ° C至+85°C
由LB和UB字节控制
低功耗：我
DDA1
= 40 mA最大
I
DDS1
= 90
A
马克斯（T
A
= +40 °C)
各种省电模式：睡眠
8M比特的部分
16M位偏
出货形式：晶圆/芯片
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