富士通半导体
数据表
DS05-11431-3E
手机内存FCRAM
TM
CMOS
64M位（4M字
×
16位）的
手机专用内存
MB82DP04183C
-65L
■
描述
富士通MB82DP04183C是一个CMOS快速循环随机存储器（ FCRAM * ）异步
静态随机存取存储器（ SRAM）的接口含有67108864存储器中的16位格式访问。
MB82DP04183C使用的是富士通FCRAM先进的核心技术，并利用在提高整合
相较于普通的SRAM 。
这MB82DP04183C适合于移动应用，如蜂窝手机和PDA 。
*： FCRAM是富士通有限公司，日本的注册商标。
■
产品阵容
参数
访问时间（最大）（T
CE
, t
AA
)
工作电流（最大值） （我
DDA1
)
待机电流（最大值） （我
DDS1
)
掉电电流（最大值） （我
DDPS
)
MB82DP04183C-65L
65纳秒
40毫安
90
A
10
A
■
特点
异步SRAM接口
快速访问周期时间：吨
AA
= t
CE
= 65 ns（最大值）
8个字第接入能力：吨
PAA
= 20 ns（最大值）
低电压工作条件： V
DD
= 2.6 V至3.1 V
宽工作温度：T已
A
= -30 ° C至+85°C
由LB和UB字节控制
低功耗：我
DDA1
= 40 mA最大
I
DDS1
= 90
A
马克斯（T
A
= +40 °C)
各种省电模式：睡眠
8M比特的部分
16M位偏
出货形式：晶圆/芯片
版权所有2005-2006富士通有限公司保留所有权利
MB82DP04183C
-65L
■
引脚说明
引脚名称
A
21
到A
0
CE1
CE2
WE
OE
LB
UB
DQ
8
到DQ
1
DQ
16
到DQ
9
V
DD
V
SS
地址输入
芯片使能1 （低电平有效）
芯片使能2 （高活性）
写使能（低电平有效）
输出使能（低电平有效）
低字节控制（低电平有效）
高字节控制（低电平有效）
低字节数据的输入/输出
高字节数据输入/输出
电源电压
地
描述
注：请参阅“ ■包的工程样品”的FBGA封装供应的引脚说明。
2
MB82DP04183C
-65L
■
功能真值表
模式
待机
（取消选择）
输出禁用*
1
输出禁用
（不读）
阅读（高字节）
H
阅读（低字节）
阅读（字）
不写
写（高字节）
L
写（低字节）
写（字）
断电*
2
L
X
X
X
H*
4
L
L
X
H
L
X
有效
有效
X
输入有效
无效
H
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
有效
有效
有效
有效
CE2
H
CE1
H
WE
X
H
OE
X
H
LB
X
X
H
H
UB
X
X
H
L
A
21
到A
0
X
*3
有效
有效
DQ
8
to
DQ
1
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
产量
有效
无效
无效
DQ
16
to
DQ
9
高-Z
高-Z
高-Z
产量
有效
高-Z
产量
有效
无效
输入有效
输入有效输入有效
高-Z
高-Z
注：L = V
IL
，H = V
IH
中，X可以是V
IL
或V
IH
，高Z =高阻抗
* 1 ：如果不能保持这种逻辑条件长于1
s.
* 2 ：省电模式可从待机状态下输入，所有的DQ引脚处于高阻状态。
数据保留取决于掉电程序的选择。
请参阅“ ■关机”的细节。
* 3 ：既可以是V
IL
或V
IH
但必须是之前读取或写入有效。
* 4 ： OE可以是V
IL
写操作时，如果满足以下条件;
（ 1 ）写脉冲由CE1启动。在“■时序参见” （ 12 ）读/写时序＃1-1 （ CE1控制）“
图“ 。
（ 2 ） OE保持V
IL
在写周期。
4
MB82DP04183C
-65L
■
掉电
掉电
掉电低功耗空闲状态下， CE2控制。 CE2低驱动器件在掉电模式
只要CE2保持低保持低功率空闲状态。 CE2高恢复从断电装置
模式。
该器件具有三种省电模式，睡眠模式， 8M比特的部分和16M位的部分。这些可以被编程
通过一系列的读/写操作。每种模式具有以下特点。
模式
数据保留
保留地址
睡眠（默认）
8M比特的部分
16M位偏
No
8M BITS
16M BITS
不适用
000000H到07FFFFH
000000H到0FFFFFH
默认状态是睡眠，这是最低的功耗，但一旦CE2是把所有数据都将丢失
以低功率下降。编程到睡眠后上电模式不要求。
掉电程序序列
该计划要求与唯一的地址总6读/写操作。之间的每一个读/写操作
要求设备处于待机模式。下表列出了详细的序列。
循环＃
手术
地址
数据
1st
2nd
3rd
4th
5th
6th
读
写
写
写
写
读
3FFFFFh （MSB）
3FFFFFh
3FFFFFh
3FFFFFh
3FFFFFh
地址键
读数据（ RDA ）
RDA
RDA
不关心（ X）
X
读数据（ RDB ）
在第一个周期是从最显著地址（MSB ）来读取。
在第二和第三周期是写入到MSB 。如果第二或第三周期被写入到不同的地址，
该程序将被取消，并写入由第二或第三循环中的数据是有效的，一个正常的写入动作。
建议写回由第一周期到MSB读取数据（ RDA） ，以确保数据的安全。
第四和第五周期写入MSB 。第四和第五周期的数据是无关位护理。如果在第四或第五
周期被写入到不同的地址，该程序也将被取消，但写数据可能不会被写为正常
写操作。
最后一个循环是从特定的地址密钥来读取对电源关断模式的选择。和读出的数据（RDB）是无效的。
一旦该程序序列是从一个局部模式到其它局部模式进行的，将写数据存储在
存储器单元阵列可能会丢失。因此，应该事先到正规的读/写操作，如果部分执行此程序
断电模式被使用。
地址键
地址键具有以下格式。
模式
睡眠（默认）
8M比特的部分
16M位偏
地址
A
21
1
1
1
A
20
1
0
0
A
19
1
1
0
A
18
到A
0
1
1
1
二进制
3FFFFFh
2FFFFFh
27FFFFh
5
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