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MOSFET模块
FBA75CA45/50
FBA75CA45/50
是一款双功率MOSFET模块设计用于快速swiching
高电压和电流的应用。 (2器件是串联连接的。 )的
模块的安装基座是由对半导体元件电隔离
简单的散热片结构。
V
DSS
=500V
适合于高速开关应用。
低导通电阻。
广泛的安全工作区。
(应用程序)
UPS
( CVCF )
电机控制,开关电源,等等。
,
30max
i
G2
u
S2
UL ; E76102 M)
I
D
=75A,
107.5±0.6
93±0.3
4-M5
4 17 4
35±0.6
1
2
3
4
78
56
2-
φ6.5
19
19
19
TAB=110
(T0.5)
铭牌
D2 S1
q
S2 D1
宽E
S1
r
y
S1
t
G1
单位:
A
=最大
评级
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DP
-I
D
P
T
Tj
TSTG
V
ISO
漏源电压
栅源电压
当前
源出电流
总功耗
通道温度
储存温度
隔离电压( R.M.S 。 )
MOUNTING
力矩
MOUNTING
(M6)
Terminal(M5)
交流1分钟
推荐值2.5-3.9 ( 25-40 )
推荐值1.5-2.5 ( 15-25 )
典型的价值
Tc=25℃
特区
脉冲
Duty=36%
条件
( TJ = 25 ℃除非另有规定)
评级
FBA75CA45 FBA75CA50
450
±20
75
150
75
400
150
-40到+125
2500
4.7(48)
2.7(28)
220
500
单位
V
V
A
A
W
V
N½m
(kgf½B)
g
ⅵELECTRICAL
特征
符号
I
GSS
I
DSS
( BR )
V
DSS
( TH )
V
GS
(上)
R
DS
(上)
V
DS
( TJ = 25 ℃除非另有规定)
条件
V
GS
=±20V,V
DS
=0V
V
GS
=0V,V
DS
=500V
V
GS
=0V,I
D
=1mA
V
DS
=V
GS
,I
D
=10mA
I
D
=40A,V
GS
=15V
I
D
=40A,V
GS
=15V
V
DS
=10V,V
D
=40A
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
V
GS
=0V,V
DS
=25V,f=1.0MHz
60
R
L
=7.5Ω,R
GS
=50Ω,V
GS
=15V
I
D
=40A,R
G
=5Ω
ーI
D
=40A,V
GS
=0V
ーI
D
=40A,V
GS
=0V,di/dt=100A/μs
700
0.31
120
700
210
1.5
V
ns
℃/W
10
ns
40
13500
2500
1000
450
500
1.0
5.0
0.10
4.0
评级
分钟。
典型值。
马克斯。
±1.0
1.0
单位
μA
mA
V
V
Ω
V
S
pF
pF
pF
栅极漏电流
零栅极电压漏极电流
FBA75CA45
漏源
击穿电压
FBA75CA50
门源阈值电压
漏源导通电阻
漏源通态电压
正向跨导
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开关
时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
二极管的正向电压
反向恢复时间
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
的td上)
tr
的td关闭)
tf
V
SDS
TRR
RTH J- C)热阻
31max

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