SGM2016AM/AP
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
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描述
该SGM2016AM / AP是N沟道双栅极
的GaAs MES FET，用于UHF频段的低噪声放大。
此FET的是适用于广泛的应用范围
包括UHF电视调谐器，蜂窝/无绳电话，
和DBS IF放大器。
特点
低电压操作
低噪声NF = 1.2分贝（典型值）在900MHz
高增益Ga = 21分贝（典型值）在900MHz
高稳定性
内置栅极保护二极管
应用
UHF频段高频放大器，混频器和振荡器
结构
砷化镓， N沟道，双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
12
1号门至源极电压
V
G1S
–5
2号门至源极电压
V
G2S
–5
漏电流
I
D
55
允许功耗P
D
150
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
SGM2016AM
SGM2016AP
V
V
V
mA
mW
°C
°C
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E96Y10-PS
