SGM2016AM/AP
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该SGM2016AM / AP是N沟道双栅极
的GaAs MES FET，用于UHF频段的低噪声放大。
此FET的是适用于广泛的应用范围
包括UHF电视调谐器，蜂窝/无绳电话，
和DBS IF放大器。
特点
低电压操作
低噪声NF = 1.2分贝（典型值）在900MHz
高增益Ga = 21分贝（典型值）在900MHz
高稳定性
内置栅极保护二极管
应用
UHF频段高频放大器，混频器和振荡器
结构
砷化镓， N沟道，双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
12
1号门至源极电压
V
G1S
–5
2号门至源极电压
V
G2S
–5
漏电流
I
D
55
允许功耗P
D
150
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
SGM2016AM
SGM2016AP
V
V
V
mA
mW
°C
°C
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
–1–
E96Y10-PS
SGM2016AM/AP
I
D
与V
G2S
25
(V
DS
= 5V)
50
(V
DS
= 5V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
20
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
–0.2V
40
V
G2S
= 1.5V
15
–0.4V
10
30
1.0V
0.5V
–0.6V
20
5
–0.8V
–1.0V
10
0V
–0.5V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
0
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
0
–2.0
NF与V
G1S
5
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
4
25
30
嘎与V
G1S
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
嘎 - 相关增益（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
V
G2S
= 1.5V
20
1.0V
3
V
G2S
= 0.5V
15
0.5V
2
1.0V
1.5V
1
10
5
0
–1.2
0
–1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
–1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
NF ，嘎与我
D
3.0
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ， F = 900MHz的）
2.5
25
2.5
30
3.0
NF ，嘎与F
35
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
30
NF - 噪声系数（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
2.0
20
嘎 - 相关增益（分贝）
2.0
Ga
25
1.5
NF
1.0
15
1.5
NFmin
20
10
1.0
15
0.5
5
0.5
10
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22
I
D
- 漏极电流[mA ]
0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
5
–3–
嘎 - 相关增益（分贝）
SGM2016AM/AP
砷化镓N沟道双栅场效应管MES
对于这款产品的供货情况，请联系销售办事处。
描述
该SGM2016AM / AP是N沟道双栅极
的GaAs MES FET，用于UHF频段的低噪声放大。
此FET的是适用于广泛的应用范围
包括UHF电视调谐器，蜂窝/无绳电话，
和DBS IF放大器。
特点
低电压操作
低噪声NF = 1.2分贝（典型值）在900MHz
高增益Ga = 21分贝（典型值）在900MHz
高稳定性
内置栅极保护二极管
应用
UHF频段高频放大器，混频器和振荡器
结构
砷化镓， N沟道，双栅极金属半导体场效应晶体管
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
漏源极电压
V
DSX
12
1号门至源极电压
V
G1S
–5
2号门至源极电压
V
G2S
–5
漏电流
I
D
55
允许功耗P
D
150
通道温度
总胆固醇
150
储存温度
TSTG
-55到+150
SGM2016AM
SGM2016AP
V
V
V
mA
mW
°C
°C
索尼保留更改产品规格，恕不另行通知。本资料概不转让任何许可
任何专利或其他权利的任何暗示或其他方式。示出了应用电路，如果有的话，是示出典型的实施例
该装置的操作。索尼公司不承担因使用这些电路中的任何问题负责。
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E96Y10-PS
SGM2016AM/AP
I
D
与V
G2S
25
(V
DS
= 5V)
50
(V
DS
= 5V)
通用汽车与V
G1S
GM - 正向转移导纳[毫秒]
20
I
D
- 漏极电流[mA ]
V
G1S
= 0V
–0.2V
40
V
G2S
= 1.5V
15
–0.4V
10
30
1.0V
0.5V
–0.6V
20
5
–0.8V
–1.0V
10
0V
–0.5V
–1.0V
–1.5
–1.0
–0.5
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0
0
–2.0
–1.5
–1.0
–0.5
V
G2S
- 门2至源极电压[V]
0
0
–2.0
NF与V
G1S
5
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
4
25
30
嘎与V
G1S
(V
DS
= 5V ， F = 900MHz的）
嘎 - 相关增益（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
V
G2S
= 1.5V
20
1.0V
3
V
G2S
= 0.5V
15
0.5V
2
1.0V
1.5V
1
10
5
0
–1.2
0
–1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
–1.2 –1.0 –0.8 –0.6 –0.4 –0.2
0
V
G1S
- 门1至源极电压[V]
0.2
NF ，嘎与我
D
3.0
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ， F = 900MHz的）
2.5
25
2.5
30
3.0
NF ，嘎与F
35
(V
DS
= 5V, V
G2S
= 1.5V ，我
D
= 10毫安）
30
NF - 噪声系数（分贝）
NF - 噪声系数（分贝）
Ga
2.0
20
嘎 - 相关增益（分贝）
2.0
Ga
25
1.5
NF
1.0
15
1.5
NFmin
20
10
1.0
15
0.5
5
0.5
10
0
0
2
4
6 8 10 12 14 16 18 20 22
I
D
- 漏极电流[mA ]
0
0
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2
的F - 频率[ GHz的]
5
–3–
嘎 - 相关增益（分贝）
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