ADuM3100
电气规格， 3.3 V工作电压
1
3.0 V ≤ V
DD1
≤ 3.6 V, 3.0 V ≤ V
DD2
≤ 3.6 V.所有最小值/最大值规格适用于整个推荐的工作范围，
除非另有说明。所有典型规格在T
A
= 25 ° C，V
DD1
= V
DD2
= 3.3 V.
表2中。
参数
DC特定网络阳离子
输入电源电流，静态
输出电源电流，静态
输入电源电流（ 25 Mbps）的
（见图4）
输出电源电流
2
（ 25 Mbps）的
（见图5）
输入电源电流（ 50 Mbps）的
（见图4）
输出电源电流
2
（ 50 Mbps）的
（见图5）
输入电流
逻辑高输出电压
逻辑低输出电压
符号
I
DD1 （ Q）
I
DD2 （ Q）
I
DD1 (25)
I
DD2 (25)
I
DD1 (50)
I
DD2 (50)
I
I
V
OH
V
OL
–10
V
DD2
– 0.1
V
DD2
– 0.5
民
典型值
0.7
0.1
2.6
0.4
4.6
0.7
+0.01
3.3
3.0
0.0
0.04
0.3
最大
0.9
0.2
3.4
0.8
6.6
1.7
+10
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
μA
V
V
V
V
V
测试条件
V
I
= 0 V或V
DD1
V
I
= 0 V或V
DD1
12.5 MHz的逻辑信号频率。
12.5 MHz的逻辑信号频率。
25 MHz的逻辑信号频率。 ，
只有ADuM3100BR
25 MHz的逻辑信号频率。 ，
只有ADuM3100BR
0 ≤ V
IN
≤ V
DD1
I
O
= -20 μA ，V
I
= V
IH
I
O
= -2.5毫安，V
I
= V
IH
I
O
= 20 μA ，V
I
= V
IL
I
O
= 400 μA ，V
I
= V
IL
I
O
= 2.5毫安， V
I
= V
IL
0.1
0.1
0.4
交换特定网络阳离子
对于ADuM3100AR
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
对于ADuM3100BR
最小脉冲宽度
3
最大数据速率
4
对于所有等级
传播延迟时间为逻辑低电平
产量
5, 6
（参见图7 ）
传播延迟时间为逻辑高电平
产量
5, 6
（参见图7 ）
脉冲宽度失真|吨
PLH
t
PHL
|
6
随温度变化
7
传播延迟偏斜（等于温度）
6, 8
传播延迟偏斜（等于温度，
耗材）
6, 8
输出上升/下降时间
共模瞬态抗扰度在
逻辑低/高输出
9
输入动态电源电流
10
输出动态电源电流
10
参见第6页的笔记。
PW
25
PW
50
t
PHL
t
PLH
PWD
t
PSK1
t
PSK2
t
R
, t
F
|厘米
L
| ， |厘米
H
|
I
DDI （ D）
I
DDO （ D）
3
35
0.08
0.01
10
100
14.5
15.0
0.5
10
40
ns
Mbps的
ns
Mbps的
ns
ns
ns
PS /°C的
ns
ns
ns
KV / μs的
毫安/ Mbps的
毫安/ Mbps的
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
C
L
= 15 pF的， CMOS信号电平
V
I
= 0或V
DD1
, V
CM
= 1000 V,
瞬变幅度= 800 V
20
28
28
3
15
12
25
版本A |第16页4
