ADuC834
笔记
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温度范围ADuC834BS （ MQFP包）为-40 ° C至+ 125°C 。
温度范围ADuC834BCP （ CSP封装）为-40 ° C至+ 85°C 。
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这些数字是不是生产测试，但对产能释放的设计和/或特性数据保证。
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系统零电平校准可以消除这种误差。
主ADC经过工厂校准，在25℃下用AV
DD
DV
DD
= 5 V ，得到了10 V.这满量程误差如果用户的电源或温度条件
显著的不同，从这些中，内部满量程校准将恢复这个错误到10 V的系统零刻度和满量程校准将删除此
完全错误。
增益误差漂移是一个跨度漂移。为了计算满刻度误差漂移，失调误差漂移添加到增益误差漂移倍的满量程输入。
辅助ADC经过工厂校准，在25℃下用AV
DD
DV
DD
= 5 V屈服-2.5 LSB这个满量程误差。系统的零刻度和满标度校准
将完全删除此错误。
DAC的线性度和AC规格采用以下公式计算： 48码降低至4095 ， 0至V
REF
;减少代码为100至3950 ， 0至V系列
DD
.
增益误差是DAC量程误差的指标。
一般来说，双极性输入电压范围，以主ADC由RangeADC =给定
±
(V
REF
2
RN
） / 125 ，其中：
V
REF
= REFIN （ + ）与REFIN （ - ）电压和V
REF
= 1.25 V时，内部ADC V
REF
被选中。 RN = RN2 ， RN1 ， RN0 ，例如V的十进制等效值
REF
= 2.5 V
和RN2 ， RN1 ， RN0 = 1 ，1，0的范围
ADC
=
±
1.28五，在单极模式下，有效范围为0 V至1.28 V在我们的例子。
1.25 V被用作参考电压到ADC时内部V
REF
通过XREF0和XREF1位中选择在ADC0CON和ADC1CON分别。
在双极模式下，辅助ADC只能被驱动到最小AGND的 - 30 mV的由辅助ADC绝对AIN电压限制所指示的。该
双极性范围仍然是-V
REF
到+ V
REF
;然而，负电压被限制在-30毫伏。
该ADuC834BCP （ CSP封装）已获得认证，并与该CSP封装的浮动基地进行测试。
配置为SPI模式引脚，配置引脚作为本次测试过程中的数字输入。
引脚CON组fi gured在我
2
只有C模式。
Flash / EE存储器可靠性特性同时适用于闪速/电擦除程序存储器和Flash / EE数据存储器。
耐力是合格的100 Kcycles按照JEDEC标准。 22方法A117和在-40测
∞C,
+ 25 ° C， + 85° C和+ 125°C 。典型的耐力，在25℃
700 Kcycles 。
保持期限相当于在结温（T
J
） = 55 ℃，按照JEDEC标准。 22 ，方法A117 。基于0.6EV的活化能保持期限
将与结温降额作为本数据手册的Flash / EE存储器部分，如图16所示。
电源电流消耗是衡量正常，空闲和掉电模式在以下情况下：
普通模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变，核心内部执行软件循环。
空闲模式：复位= 0.4 V，数字I / O引脚=开路，核心的Clk通过CD位PLLCON改变， PCON.0 = 1 ，核心执行悬浮在空闲模式。
掉电模式：复位= 0.4 V，所有的P0引脚和P1.2 - P1.7引脚= 0.4 V，其他所有的数字I / O引脚开路，核心的Clk通过CD位改变
PLLCON ， PCON.1 = 1 ，核心执行悬浮在掉电模式下， OSC通过OSC_PD位（ PLLCON.7 ）在PLLCON SFR打开或关闭。
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DV
DD
在一个Flash / EE存储器编程电源电流通常会增加3毫安（ 3 V操作）和10均线（ 5 V工作电压）或擦除周期。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
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第0版
