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ADuC7019/20/21/22/24/25/26/27
时序特定网络阳离子
表2.外部存储器写周期
参数
CLK
T
MS_AFTER_CLKH
T
ADDR_AFTER_CLKH
T
AE_H_AFTER_MS
T
AE
T
HOLD_ADDR_AFTER_AE_L
T
HOLD_ADDR_BEFORE_WR_L
T
WR_L_AFTER_AE_L
T
DATA_AFTER_WR_L
T
WR
T
WR_H_AFTER_CLKH
T
HOLD_DATA_AFTER_WR_H
T
BEN_AFTER_AE_L
T
RELEASE_MS_AFTER_WR_H
民
0
4
½ CLK
（ XMxPAR [ 14时12 ] + 1）× CLK
½ CLK + (!XMxPAR[10]) x CLK
（！ XMxPAR [8] ）× CLK
½ CLK + (!XMxPAR[10] + !XMxPAR[8]) x CLK
8
（ XMxPAR [7： 4] + 1）× CLK
0
（！ XMxPAR [8] ）× CLK
½ CLK
（！ XMxPAR [8] + 1）× CLK
4
ns
12
ns
典型值
UCLK
最大
4
8
单位
ns
ns
CLK
CLK
T
MS_AFTER_CLKH
MS
T
AE_H_AFTER_MS
AE
T
WR
T
AE
WR
T
HOLD_DATA_AFTER_WR_H
RD
T
HOLD_ADDR_AFTER_AE_L
T
HOLD_ADDR_BEFORE_WR_L
T
ADDR_AFTER_CLKH
A / D [ 15 ： 0 ]
FFFF
9ABC
T
DATA_AFTER_WR_L
5678
T
BEN_AFTER_AE_L
BEN0
BEN1
A16
04955-052
T
WR_L_AFTER_AE_L
T
RELEASE_MS_AFTER_WR_H
T
WR_H_AFTER_CLKH
9ABE
1234
图3.外部存储器写周期
版本A |第9页的92
