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ADuC7019/20/21/22/24/25/26/27
执行时间SRAM和Flash / EE
从SRAM执行
从SRAM中读取指令需要一个时钟周期为
SRAM的存取时间为2纳秒和一个时钟周期是22纳秒
最低限度。然而，如果该指令包含读取或
将数据写入到存储器中，一个额外的周期必须如果被添加
数据是存储在SRAM （或如果该数据是在Flash / EE的3个循环） 。一
周期来执行指令，和两个周期，以获得32位
从Flash / EE数据。控制流指令（分支
指令，例如）需要一个周期来获取，也需要
两个周期来填充新的指令流水线。
复位并重新映射
ARM的异常向量都位于的底部
存储阵列，从0x00000000地址到地址
0x00000020如图50 。
0xFFFFFFFF
核心
打断
服务程序
0x0008FFFF
FLASH / EE
0x00080000
从Flash / EE执行
由于闪速/电擦除宽度为16位，存取时间为16位
话是22纳秒，从Flash / EE执行，不能在做
一个周期（如可从SRAM中时完成的CD位= 0）。另外，
需要一定的死区时间访问数据的任何值之前，
的CD位。
在ARM模式，其中指令都是32位的，两个周期都
获取任何指令需要的时候CD = 0在Thumb模式下，
其中，指令是16位，一个周期需要获取任何
指令。
执行指令时，时间是在两种模式相同
涉及使用Flash / EE数据存储器。如果
要执行的指令是控制流指令，一个额外的
周期需要解码的程序的新地址
计数器，然后四个周期来填补管道。一
数据处理指令只涉及核心寄存器
不需要任何额外的时钟周期。然而，如果涉及
在Flash / EE数据，一个额外的时钟周期需要解码
需要的数据的地址，以及2个周期，以获得32位
从Flash / EE数据。额外的周期，还必须加入之前
另取指令。数据传送指令
更复杂的，并总结于表23 。
在ARM表23.执行周期/ Thumb模式将
说明
LD
1
LDH
LDM / PUSH
STR
1
STRH
STRM / POP
1
0x00011FFF
打断
服务程序
SRAM
0x00010000
镜像空间
ARM异常
向量地址
0x00000020
0x00000000
0x00000000
04955-022
图50.重映射为例外的执行
默认情况下，任何复位后， Flash / EE存储器被镜像到
存储器阵列的底部。重映射功能使
程序员镜像的SRAM的存储器的底部
阵列，这有利于执行异常处理程序从SRAM中
而不是从Flash / EE 。这意味着例外执行两次
一样快，而在32位的ARM模式下执行，并且对SRAM被
32位，而不是宽16位宽的Flash / EE存储器。
重映射操作
复位发生时对于ADuC7019 / 7020 /七千〇二十二分之七千〇二十一/
7024/7025/7026/7027 ，执行工厂自动启动
编程的内部配置代码。这个内核被隐藏
并且不能由用户代码来访问。如果ADuC7019 / 7020 /
7021/7022/7024/7025/7026/7027是在正常模式（骨髓针
高） ，那么他们执行的权力配置程序
内核中，然后跳转到复位向量地址，
00000000 ，执行用户的复位异常程序。
由于闪存/ EE被镜像到存储器的底部
数组复位，复位中断服务程序必须写
在Flash / EE 。
重映射是从Flash / EE设置的位0完成
REMAP寄存器。必须采取预防措施，以执行此
从Flash / EE命令，上面的地址0x00080020 ，而不是
从阵列作为本底被替换SRAM中。
该操作是可逆的。在Flash / EE存储器可以被重新映射
0x00000000地址被清零重映射MMR 0 。
注意事项必须再次采取执行重映射功能
从镜像区之外。任何类型的复位重新映射
Flash / EE存储器的阵列的底部。
取
周期
2/1
2/1
2/1
2/1
2/1
2/1
DEAD
时间
1
1
N
2
1
1
N
1
数据访问
2
1
2 ×N个
2
2 x 20
μs
20
μs
2 ×N个×20
μs
1
DEAD
时间
1
1
N
1
1
1
N
1
SWAP指令结合了LD和STR指令只有一个
获取，提供总共8个周期加40
μs.
2
N是数据的数量来加载或存储在多个装入/存储指令
（ 1 <N ≤ 16 ） 。
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