X40430 / X40431 - 初步信息
图6. V
旅
置位/复位序列（ X = 1 ， 2 ， 3 ）
V
TRIPx
程序设计
No
所需
V
TRIPx
现值
是的
执行
V
旅
复位过程
执行
设置较高的V
旅
顺序
新的V
X
应用=
老V
X
应用+错误
执行
设置较高的V
X
顺序
新的V
X
应用=
老V
X
应用 - 错误
适用于V
CC
和电压
期望中的V
TRIPx
到V
X
NO
降低V
X
执行reset V
TRIPx
顺序
输出开关？
是的
错误< -MDE
实际的V
TRIPX -
期望中的V
TRIPx
错误< | MDE |
DONE
错误> + MDE
VX = V
CC
， V2MON ， V3MON
注意：
X = 1, 2, 3
让：
MDE =所需的最大错误
WEL ：写使能锁存器（挥发性）
WEL位控制对存储器的访问，并
在写操作期间的寄存器。该位是vola-
瓷砖锁存器开启后处于低（禁止）状态。
而WEL位为低电平，写入任何地址，
包括所有控制寄存器将被忽略（不
确认数据字节后会发出） 。该
WEL位通过写设置了“1” WEL位和
零的控制寄存器中的其它位。
一旦设定， WEL保持设置，直到它被重置为0
（通过写“0”到WEL位和零到另一
控制寄存器） ，或直至器件上电的位
再次。写入WEL位不会导致高电压
年龄写入周期，所以该装置已准备好进行下一
停止条件后立即手术。
REV 1.2.3 00年11月28日
www.xicor.com
特性如有变更，恕不另行通知。
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