V
GG
C9
C8
+
C7
R3
B1
R2
C18
B2
C17
C16
+
C15
V
DD
L1
C6
R1
Z6
N1
RF
输入
C1
C2
C3
C4
C5
DUT
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
C10
C11
C12
C13
Z7
Z8
Z9
Z10
C14
N2
RF
产量
B1, B2
C1
C2, C3, C4, C10,
C12, C13
C5, C11
C6, C18
C7, C15
C8, C16
C9, C17
C14
L1
N1, N2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
(2743021446)
300 pF的， 100万片电容
0至20 pF的，微调电容器
43 pF的， 100万片式电容器
120 pF的， 100万片式电容器
10
μF,
50 V电解电容器
0.1
μF,
100万片式电容器
1000 PF， 100万片式电容器
330 pF的， 100万片电容
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰底座
R1
R2
R3
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5, Z6
Z7
Z8
Z9
Z10
板
15
Ω,
0805贴片电阻
1.0千欧， 1/8 W电阻
33千欧， 1/2 W电阻
0.315 “× 0.080 ”微带
1.415 “× 0.080 ”微带
0.322 “× 0.080 ”微带
0.022 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.050 “× 0.080 ”微带
0.625 “× 0.080 ”微带
0.800 “× 0.080 ”微带
0.589 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图1： 480 - 520 MHz的宽带测试电路
典型特性， 480 - 520兆赫
10
噘嘴，输出功率（瓦）
0
500兆赫
480兆赫
520兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
8
6
10
520兆赫
480兆赫
4
15
500兆赫
20
V
DD
= 7.5伏
25
2
V
DD
= 7.5伏
0
0
0.2
0.4
0.6
P
in
，输入功率（瓦）
0.8
1.0
1
2
3
4
5
6
7
8
P
OUT
，输出功率（瓦）
9
10
图2.输出功率与输入功率
图3.输入回波损耗 -
输出功率
MRF1517NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
