【飞思卡尔半导体公司技术参数文档编号： MRF1517N牧师6 ， 6/2008射频功率场效应晶体管N】,IC型号MRF1517N,MRF1517N PDF资料,MRF1517N经销商,ic,电子元器件-51电子网

飞思卡尔半导体公司

技术参数

文档编号： MRF1517N

牧师6 ， 6/2008

射频功率场效应晶体管

N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET

设计用于在frequen-宽带商业和工业应用

资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能

使其非常适用于大信号，在7.5伏的共源放大器的应用

便携式调频设备。

指定的性能@ 520兆赫， 7.5伏

输出功率 - 8瓦

功率增益 - 14分贝

效率 - 70 ％

能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 9.5伏直流电，

520兆赫， 2分贝高速

特点

特点等效串联阻抗大 - 信号

阻抗参数

优良的热稳定性

后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。

在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，

7英寸卷轴。

MRF1517NT1

520兆赫， 8 W， 7.5 V

横向N - CHANNEL

宽带

RF功率MOSFET

CASE 466 - 03 ，风格1

PLD - 1.5

塑料

表1.最大额定值

等级

漏 - 源极电压

(1)

栅 - 源电压

漏电流 - 连续

器件总功耗@ T

= 25°C

(2)

减免上述25℃

存储温度范围

工作结温

符号

DSS

英镑

价值

- 0.5, +25

62.5

0.50

- 65 + 150

150

单位

VDC

ADC

W / ℃，

°C

表2.热特性

特征

热阻，结到外壳

符号

θJC

价值

(3)

单位

° C / W

表3.湿度敏感度等级

测试方法

每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020

等级

封装峰值温度

260

单位

°C

1.不是为12.5伏的应用。

2.计算值根据公式P

= j的 - C

θJC

3. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF

计算器按照产品。

注 -

小心

- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并

包装MOS器件应观察。

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表4.电气特性

= 25 ° C除非另有说明）

特征

开关特性

零栅极电压漏极电流

= 35 VDC ，V

= 0)

门 - 源极漏电流

= 10 VDC ，V

= 0)

基本特征

栅极阈值电压

= 7.5伏，我

= 120

μAdc ）

漏极 - 源极导 - 电压

= 10 VDC ，我

= 1 ADC）

正向跨导

= 10 VDC ，我

= 2 ADC）

动态特性

输入电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

输出电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

反向传输电容

= 7.5伏，V

= 0中，f = 1 MHz）的

功能测试

（飞思卡尔测试夹具）

通用 - 源放大器功率增益

= 7.5伏，P

OUT

= 8瓦，我

= 150 mA时， F = 520兆赫）

漏EF网络效率

= 7.5伏，P

OUT

= 8瓦，我

= 150 mA时， F = 520兆赫）

—

国际空间站

OSS

RSS

—

GS （ TH）

DS （ ON）

—

1.7

0.5

0.9

2.1

—

VDC

DSS

GSS

—

μAdc

符号

民

典型值

最大

单位

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C18

C17

C16

C15

输入

DUT

C10

C11

C12

C13

Z10

C14

产量

B1, B2

C2, C3, C4, C10,

C12, C13

C5, C11

C6, C18

C7, C15

C8, C16

C9, C17

C14

N1, N2

短铁氧体磁珠，公平礼产品

(2743021446)

300 pF的， 100万片电容

0至20 pF的，微调电容器

43 pF的， 100万片式电容器

120 pF的， 100万片式电容器

μF,

50 V电解电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

1000 PF， 100万片式电容器

330 pF的， 100万片电容

55.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

Z5, Z6

Z10

板

Ω,

0805贴片电阻

1.0千欧， 1/8 W电阻

33千欧， 1/2 W电阻

0.315 “× 0.080 ”微带

1.415 “× 0.080 ”微带

0.322 “× 0.080 ”微带

0.022 “× 0.080 ”微带

0.260 “× 0.223 ”微带

0.050 “× 0.080 ”微带

0.625 “× 0.080 ”微带

0.800 “× 0.080 ”微带

0.589 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳， 2盎司铜

图1： 480 - 520 MHz的宽带测试电路

典型特性， 480 - 520兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

500兆赫

480兆赫

520兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

520兆赫

480兆赫

500兆赫

= 7.5伏

0.2

0.4

0.6

，输入功率（瓦）

0.8

1.0

OUT

，输出功率（瓦）

图2.输出功率与输入功率

图3.输入回波损耗 -

输出功率

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RF设备数据

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典型特性， 480 - 520兆赫

500兆赫

520兆赫

增益（dB ）

= 7.5伏

OUT

，输出功率（瓦）

OUT

，输出功率（瓦）

EFF ，漏极效率（％）

480兆赫

= 7.5伏

520兆赫

500兆赫

480兆赫

图4.增益与输出功率

图5.漏极效率与输出功率

噘嘴，输出功率（瓦）

520兆赫

200

400

600

，偏置电流（mA）

800

1000

= 27 dBm的

= 7.5伏

480兆赫

500兆赫

480兆赫

500兆赫

520兆赫

= 27 dBm的

= 7.5伏

200

400

600

，偏置电流（mA）

800

1000

EFF ，漏极效率（％）

图6.输出功率与偏置电流

图7.漏极效率与偏置电流

噘嘴，输出功率（瓦）

480兆赫

，电源电压（伏）

= 27 dBm的

= 150毫安

500兆赫

520兆赫

EFF ，漏极效率（％）

500兆赫

520兆赫

480兆赫

= 27 dBm的

= 150毫安

，电源电压（伏）

图8.输出功率与电源电压

图9.漏极效率与电源电压

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RF设备数据

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C17

C16

C15

C14

输入

DUT

C10

C11

C12

C13

产量

B1, B2

C1, C13

C2, C3, C4, C10,

C11, C12

C5, C17

C6, C14

C7, C15

C8, C16

N1, N2

短铁氧体磁珠，公平礼产品

(2743021446)

300 pF的， 100万片式电容器

0至20 pF的，微调电容器

130 pF的， 100万片式电容器

μF,

50 V电解电容器

0.1

μF,

100万片式电容器

1000 PF， 100万片式电容器

33 pF的， 100万片电容

55.5 NH， 5转， Coilcraft公司

N型法兰底座

Z4, Z5

板

Ω,

0805贴片电阻

1.0千欧， 1/8 W电阻

33千欧， 1/2 W电阻

0.617 “× 0.080 ”微带

0.723 “× 0.080 ”微带

0.513 “× 0.080 ”微带

0.260 “× 0.223 ”微带

0.048 “× 0.080 ”微带

0.577 “× 0.080 ”微带

1.135 “× 0.080 ”微带

0.076 “× 0.080 ”微带

特氟龙玻璃

， 31密耳， 2盎司铜

图10. 400 - 440 MHz的宽带测试电路

典型特性， 400 - 440兆赫

噘嘴，输出功率（瓦）

0.1

0.2

0.3

，输入功率（瓦）

0.4

0.5

= 7.5伏

OUT

，输出功率（瓦）

420兆赫

440兆赫

400兆赫

IRL ，输入回波损耗（分贝）

400兆赫

420兆赫

440兆赫

= 7.5伏

图11.输出功率与输入功率

图12.输入回波损耗与输出功率

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