典型特性， 135 - 175兆赫
18
17
16
增益（dB ）
15
14
13
12
V
DD
= 12.5伏
0
1
2
3
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
155兆赫
EFF ，漏极效率（ ％ ）
175兆赫
135兆赫
70
60
50
40
30
20
10
0
0
1
155兆赫
175兆赫
135兆赫
V
DD
= 12.5伏
档案信息
图22.增益与输出功率
图23.漏极效率与输出
动力
6
175兆赫
80
75
175兆赫
70
65
60
55
50
135兆赫
V
DD
= 12.5伏
P
in
= 19.5 dBm的
0
100
200
300
400
I
DQ
，偏置电流（mA）
500
600
155兆赫
5
155兆赫
4
135兆赫
3
V
DD
= 12.5伏
P
in
= 19.5 dBm的
2
0
100
200
300
400
I
DQ
，偏置电流（mA）
500
600
图24.输出功率与
偏置电流
5
4
3
2
135兆赫
1
0
80
70
60
50
40
30
16
20
8
9
图25.漏极效率与
偏置电流
噘嘴，输出功率（瓦）
EFF ，漏极效率（ ％ ）
135兆赫
155兆赫
175兆赫
175兆赫
155兆赫
P
in
= 19.5 dBm的
I
DQ
= 50毫安
8
9
10
11
12
13
14
15
P
in
= 19.5 dBm的
I
DQ
= 50毫安
10
11
12
13
14
15
16
V
DD
，电源电压（伏）
V
DD
，电源电压（伏）
图26.输出功率与
电源电压
MRF1513T1
8
图27.漏极效率与
电源电压
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
2
3
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
噘嘴，输出功率（瓦）
EFF ，漏极效率（ ％ ）
