典型特性， 450 - 520兆赫
16
15
14
增益（dB ）
13
12
11
10
V
DD
= 12.5伏
0
1
2
3
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
450兆赫
520兆赫
500兆赫
470兆赫
EFF ，漏极效率（ ％ ）
70
60
50
40
30
V
DD
= 12.5伏
20
0
1
2
3
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
500兆赫
520兆赫
470兆赫
450兆赫
档案信息
图4.增益与输出功率
图5.漏极效率与输出功率
6
5
4
3
2
1
450兆赫
470兆赫
500兆赫
520兆赫
70
65 520 MHz的
60 470 MHz的
55
50
45
600
40
0
100
200
300
400
I
DQ
，偏置电流（mA）
V
DD
= 12.5伏
P
in
= 20.3 dBm的
500
600
500兆赫
450兆赫
V
DD
= 12.5伏
P
in
= 20.3 dBm的
0
100
200
300
400
I
DQ
，偏置电流（mA）
500
图6.输出功率与偏置电流
图7.漏极效率与
偏置电流
80
70
60
50
40
30
P
in
= 20.3 dBm的
I
DQ
= 50毫安
8
9
10
11
12
13
14
15
16
450兆赫
500兆赫
470兆赫
520兆赫
5
噘嘴，输出功率（瓦）
3
2
1
0
450兆赫
520兆赫
470兆赫
500兆赫
P
in
= 20.3 dBm的
I
DQ
= 50毫安
8
9
10
11
12
13
14
15
16
EFF ，漏极效率（ ％ ）
4
20
V
DD
，电源电压（伏）
V
DD
，电源电压（伏）
图8.输出功率与电源电压
图9.漏极效率与电源电压
MRF1513T1
4
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
噘嘴，输出功率（瓦）
EFF ，漏极效率（ ％ ）
