V
GG
C9
C8
B2
+
C7
R4
B1
R3
C17
C16
C15
+
V
DD
C14
L1
C6
R2
Z7
R1
N1
RF
输入
C1
C2
C3
C4
C5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
DUT
C10
C11
C12
C13
Z8
Z9
Z10
Z11
N2
RF
产量
B1, B2
C1, C13
C2, C3, C4, C10,
C11, C12
C5, C6, C17
C7, C14
C8, C15
C9, C16
L1
N1, N2
R1, R3
R2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
#2743021446
240 pF的， 100万片式电容器
0至20 pF的微调电容器
120 pF的， 100万片式电容器
10
MF，
50 V电解电容器
1200 PF， 100万片式电容器
0.1
MF，
100万片式电容器
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰底座
15
Ω
贴片电阻（ 0805 ）
1千欧， 1/8 W电阻
R4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
Z9
Z10
Z11
板
33千欧， 1/8 W电阻
0.236 “× 0.080 ”微带
0.981 “× 0.080 ”微带
0.240 “× 0.080 ”微带
0.098 “× 0.080 ”微带
0.192 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.705 “× 0.080 ”微带
0.342 “× 0.080 ”微带
0.347 “× 0.080 ”微带
0.846 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图1： 450 - 520 MHz的宽带测试电路
典型特性， 450 - 520兆赫
5
470兆赫
噘嘴，输出功率（瓦）
4
520兆赫
3
450兆赫500兆赫
IRL ，输入回波损耗（分贝）
5
0
V
DD
= 12.5伏
10
500兆赫
470兆赫
2
1
V
DD
= 12.5伏
0
0
0.05
0.10
0.15
P
in
，输入功率（瓦）
0.20
15
520兆赫
20
0
1
450兆赫
2
3
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
图2.输出功率与输入功率
图3.输入回波损耗
与输出功率
MRF1513NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
3
