飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF1513N
牧师11 ， 6/2008
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
资本投资者入境计划，以520兆赫。该装置的高增益和宽带性能
使其非常适用于大型 - 信号，在7.5伏的共源放大器的应用
便携式和12.5伏移动调频设备。
D
指定的性能@ 520兆赫， 12.5伏特
输出功率 - 3瓦
功率增益 - 15分贝
效率= 65 ％
能够处理20 ： 1 VSWR ， @ 15.5伏，
520兆赫， 2分贝高速
特点
优良的热稳定性
G
特点等效串联阻抗大 - 信号
阻抗参数
后缀表示铅 - 免费终结。符合RoHS 。
S
在磁带和卷轴。 T1每12毫米后缀= 1000单位，
7英寸卷轴。
MRF1513NT1
520兆赫， 3 W ， 12.5 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
CASE 466 - 03 ，风格1
PLD - 1.5
塑料
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
漏电流 - 连续
器件总功耗@ T
C
= 25°C
(1)
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
I
D
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +40
±
20
2
31.25
0.25
- 65 + 150
150
单位
VDC
VDC
ADC
W
W / ℃，
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
(2)
4
单位
° C / W
表3.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
1.计算值根据公式P
D
=
等级
1
封装峰值温度
260
单位
°C
TJ - TC
R
θJC
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择软件&工具/开发工具/计算器访问MTTF
计算器按照产品。
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2008年。保留所有权利。
MRF1513NT1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
V
GG
C9
C8
B2
+
C7
R4
B1
R3
C16
C15
C14
+
V
DD
C13
L1
C6
R2
Z7
R1
N1
RF
输入
C1
C2
C3
C4
C5
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6
DUT
C10
C11
C12
Z8
Z9
Z10
N2
RF
产量
B1, B2
C1, C12
C2, C3, C4,
C10, C11
C5, C6, C16
C7, C13
C8, C14
C9, C15
L1
N1, N2
R1
R2
短铁氧体磁珠，公平礼产品
#2743021446
330 pF的， 100万片式电容器
1至20 pF的微调电容器
120 pF的， 100万片式电容器
10
μF,
50 V电解电容器
1200 PF， 100万片式电容器
0.1
MF，
100万片式电容器
55.5 NH， 5转， Coilcraft公司
N型法兰底座
15
Ω
贴片电阻（ 0805 ）
1千欧， 1/8 W电阻
R3
R4
Z1
Z2
Z3
Z4
Z5
Z6, Z7
Z8
Z9
Z10
板
15
Ω
贴片电阻（ 0805 ）
33千欧， 1/8 W电阻
0.253 “× 0.080 ”微带
0.958 “× 0.080 ”微带
0.247 “× 0.080 ”微带
0.193 “× 0.080 ”微带
0.132 “× 0.080 ”微带
0.260 “× 0.223 ”微带
0.494 “× 0.080 ”微带
0.941 “× 0.080 ”微带
0.452 “× 0.080 ”微带
特氟龙玻璃
， 31密耳， 2盎司铜
图10. 400 - 470 MHz的宽带测试电路
典型特性， 400 - 470兆赫
5
400兆赫
噘嘴，输出功率（瓦）
4
470兆赫
3
IRL ，输入回波损耗（分贝）
440兆赫
V
DD
= 12.5伏
5
0
10
440兆赫
400兆赫
2
1
V
DD
= 12.5伏
0
0
0.02
0.04
0.06
0.08
P
in
，输入功率（瓦）
0.10
0.12
15
470兆赫
20
0
1
3
2
P
OUT
，输出功率（瓦）
4
5
图11.输出功率与输入功率
图12.输入回波损耗
与输出功率
MRF1513NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
5
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