MOUNTING
4℃规定的最大热电阻/ W AS-i
在sumes大多数0.065 “× 0.180 ”源接触
包装的背面侧与一个AP-良好接触
propriate散热器。正如所有的RF功率器件，目标
热设计应是在最小化的温度
包装的背面。请参阅飞思卡尔应用
注意AN4005 / D ， “热管理和安装甲
外径为PLD - 1.5 RF功率表面贴装封装“的
附加信息。
放大器设计
阻抗匹配网络类似于那些与所用
双极晶体管适用于本装置。有关示例
看到飞思卡尔应用笔记AN721 ， “阻抗
匹配网络中应用的射频功率晶体管。 “
提供信号的阻抗，并且将产生良好 - 大
第一关逼近。
由于RF功率MOSFET是三极管器件上，它们不
单方面的。这再加上非常高的增益该设备的
产生能够自振荡的装置。稳定性可以是
通过如漏装，输入分流技术实现
电阻性负载，或输出到输入的反馈。该RF测试fix-
TURE实现了一个并联电阻器和电容器串联
与门，并且具有选择用于较高艾菲负载线
效率，更低的增益，以及更稳定的运行区域。
两个 - 港口稳定性分析与此设备的
的S - 参数提供了用于选择加载的一个有用的工具
或反馈电路，以保证稳定的运行。见自由
规模应用笔记AN215A ， “RF小 - 信号设计
采用双 - 端口参数“两港一讨论
网络理论性和稳定性。
MRF1513NT1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
13
