功能说明
设备操作
设备操作
电源
该33879设备的设计具有超低休眠
模电流。该装置可以通过将EN进入休眠模式
引脚或V
DD
引脚。在睡眠模式（ EN或V
DD
≤
0.8 V）时，该
电流通过V消耗
PWR
引脚小于5.0
μA.
在休眠模式下配售33879复位内部
寄存器的上电复位状态。复位状态
定义为所有输出关闭，负载开路检测电流
禁用。
放置在休眠模式下的33879 ，任一命令所有
关闭输出并应用逻辑低到EN输入引脚或删除
从V电源
DD
电源引脚。之前除去V
DD
从
该设备，则建议从所有的控制输入
MCU是低的。
SPI完整性检查
检查SPI通信的完整性
初始上电的第五
DD
和EN引脚建议。
在最初的系统启动或复位后， MCU将编写一个
32位模式，以由MCU读33879.前16位
将8个逻辑[0]后面跟随的输出的故障状态。
第二个16位将被发送的相同位模式
MCU。由MCU接收相同的位组合格式它送出，总线
完整性被确认。请注意，第二个16位模式
MCU发送到设备的命令字和意志
被转移到输出，上升沿
CS
.
重要的一个SCLK脉冲计数策略已经
实施，以确保SPI通信的完整性。 SPI
消息由16个SCLK脉冲的倍数
8个时钟脉冲之后将被确认。 SPI
消息组成以外的其它的8个SCLK 16 +倍数
脉冲将被设备忽略。
并联输出
利用MOSFET作为输出开关方便地使
为提高电流能力输出并联。
R
DS （ ON）
MOSFET的具有固有的正温度
系数之间提供了平衡的电流分配
输出无破坏性操作。这种操作模式
可能希望在该事件的应用需要低
功耗或转换更高的附加功能
电流。在并行操作的结果表现
相应减少在研发
DS （ ON）
而输出OFF
开放负载检测电流和输出电流限制
相应增加。从两个输出并联或
更不同的IC器件是可能的，但不建议使用。
过热故障
过温检测和关机电路
专门为每个单独的输出作为参考。该
关机之后过热条件
独立于系统时钟或任何其他逻辑信号。
155每个独立输出关闭
°
C至185
°
C.
当输出关闭，由于温度过高
故障，没有其他的输出受到影响。单片机识别
故障由一个在故障状态寄存器。在33879后
设备已冷却到低于切换点的温度和
15
°
C的迟滞，输出将激活，除非另有说
经由SPI的MCU关闭。
故障逻辑运算
在33879设备的故障逻辑已经大大简化
过采用SPI通信的其它设备。由于命令
字中的一个正被写入到移位寄存器中，一个故障状态
字被同时写入出来并通过接收到的
MCU。不论配置的，不带输出
故障及负载开路检测电流启用，所有状态
正在接收由MCU位将为零。当输出
有故障（断电状态开路或状态短路/
过温） ，接收由所述微控制器的状态位
将等于1。开路故障之间的区别
短路/过温是通过命令字完成。
例如，当一个零位的命令被发送和一
故障被接收在下列单词，该故障是开路/短
对电池的高侧驱动器或开路/短路到地用于低
侧驱动。以相同的方式，当一个命令位为
发送和接收到一个故障在下列单词时，故障
是一个短的对地/过温为高侧驱动器或
短到电池/过温低侧驱动器。该
两个写单词之间的时间必须大于300
μs
留出足够的时间来检测并报告了正确的故障
状态。
过压故障
在V的过压条件
PWR
销将导致
装置关闭所有输出，直到过压状态
被除去。当过压条件被移除时，
输出将恢复以前的状态。该器件不
检测在V的过压
DD
引脚。过压
在V门槛
PWR
销被指定为V
PWR （ OV ）
五，与
1.0V的典型迟滞。 A V
PWR
过压检测
全球性的，
使所有输出被关断。
输出OFF负载开路故障
输出关断负载开路故障检测和
报告的
开放
加载时相应的输出是
禁止（输入位编程为逻辑低状态） 。该
输出OFF负载开路故障时，通过比较所检测的
漏极 - 源极的特定MOSFET输出的电压向
内部产生的参考。每路输出都有一个
专用比较器用于此目的。
33879
模拟集成电路设备数据
飞思卡尔半导体公司
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