HAT2197R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0061-0200Z
Rev.2.00
Apr.02.2004
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.3 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
SOP-8
8
7
65
5 6 7 8
D D D D
3
1 2
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ，页7 1
