HAT2197R
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G0061-0200Z
Rev.2.00
Apr.02.2004
特点
高速开关
能够4.5 V门极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.3 m
（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
SOP-8
8
7
65
5 6 7 8
D D D D
3
1 2
4
4
G
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ，页7 1
HAT2197R
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到环境热阻
通道温度
储存温度
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D(pulse)Note1
I
DR
I
AP注2
E
AR注2
PCH
Note3
θch -A
Note3
总胆固醇
TSTG
评级
30
±20
16
128
16
16
25.6
2.5
50
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3.当使用玻璃环氧板（ FR4 40 ×40× 1.6毫米） ， PW
≤
10s
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿
电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管的反向
恢复时间
注： 4.脉冲测试
符号最小值
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
30
—
—
1.0
—
—
22
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
5.3
6.8
38
2650
610
190
1.2
18
7.5
4.2
10
25
45
4.2
0.80
30
最大
—
± 0.1
1
2.5
6.7
9.9
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.04
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nC
nC
nC
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 30 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 8 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 8 A，V
GS
= 4.5 V
Note4
I
D
= 8 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 10 V
V
GS
= 4.5 V
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 8 A
V
DD
10 V
R
L
= 1.25
RG = 4.7
IF = 16 A，V
GS
= 0
Note4
IF = 16 A，V
GS
= 0
DIF / DT = 100 A /
s
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ， 7个2页
HAT2197R
功率与温度降额
4.0
P沟（W）的
I
D
(A)
最高安全工作区
500
10
s
测试条件：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米） ， PW < 10秒
3.0
100
DC
10
10
PW
Op
ERA
TIO
n
=1
(P
1m
0
s
散热通道
漏电流
0m
s
s
2.0
1
W
1.0
操作
这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
TA = 25°C
1次脉冲
N
＆ LT ; 1
OTE
0s
4
)
0
50
100
150
的Ta （℃）
200
环境温度
0.01
0.1 0.3
100
1
3
10
30
漏极至源极电压V
DS
(V)
注4 ：
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40x40x1.6毫米）
典型的传输特性
20
V
DS
= 10 V
脉冲测试
(A)
I
D
漏电流
典型的输出特性
20
10 V
2.8 V
I
D
(A)
脉冲测试
2.6 V
16
16
12
漏电流
2.5 V
12
TC = 75℃
25°C
4
–25°C
8
V
GS
= 2.4 V
8
4
0
2
4
6
漏源极电压
8
V
DS
(V)
10
0
1
2
3
栅极至源极电压
5
4
V
GS
(V)
V
DS （ ON）
（毫伏）
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
200
脉冲测试
160
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m
)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
100
脉冲测试
50
20
V
GS
= 4.5 V
10
5
2
1
1
10
100
漏电流I
D
(A)
1000
漏源极电压
120
I
D
= 20 A
80
10 A
40
5A
0
4
8
12
栅极至源极电压
16
V
GS
(V)
20
10 V
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ， 7 3页
HAT2197R
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
12
脉冲测试
10
I
D
= 20 A
正向转移导纳主场迎战
漏电流
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m
)
正向转移导纳| YFS | （ S）
1000
TC = -25°C
100
8
V
GS
= 4.5 V
6
10 V
4
2
-25
5, 10 A
10
25°C
1
75°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
0.1
0.3
1
3
10
30
100
5 A, 10 A, 20 A
0
25 50 75 100 125 150
壳温度（ ° C）
体漏二极管的反向
恢复时间
漏电流I
D
(A)
典型的电容比。
漏源极电压
10000
3000
1000
300
100
30
10
0
5
10
15
20
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
25
30
西塞
100
反向恢复时间trr （ NS ）
50
电容C （PF ）
科斯
20
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
1
10
100
反向漏电流I
DR
(A)
10
0.1
漏极至源极电压V
DS
(V)
开关特性
20
1000
动态输入特性
V
DS
(V)
50
开关时间t（ NS ）
40
漏源极电压
V
DD
= 25 V
10 V
5V
16
V
GS
12
V
GS
(V)
I
D
= 16 A
V
GS
= 10 V , V
DS
= 10 V
RG = 4.7
，值班< 1 ％
100
tr
30
V
DS
栅极至源极电压
吨D（关闭）
20
8
吨D（上）
10
tf
1
0.1
1
漏电流
10
I
D
(A)
100
10
V
DD
= 25 V
10 V
5V
16
32
48
64
栅极电荷Qg （ NC ）
4
0
80
0
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ， 7第4页
HAT2197R
反向漏电流 -
源极到漏极电压
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
最大雪崩能量 -
通道温度降额
50
I
AP
= 16 A
V
DD
= 15 V
值班< 0.1 ％
RG > 50
20
反向漏电流I
DR
(A)
16
10 V
5V
V
GS
= 0 V
40
12
30
8
20
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
源极到漏极电压
V
SD
(V)
10
0
25
50
75
100
125
150
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
10
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
1
D=1
0.5
0.1
0.2
0.1
0.05
0.01
0.02
0.01
1s
ho
u
tp
LSE
θ
沟道 - F（T） =
γ
秒（吨）×
θ
CH - F
θ
CH - F = 83.3 ° C / W ，TA = 25℃
当使用玻璃环氧基板
（ FR4 40 ×40× 1.6毫米）
PDM
PW
T
0.001
D=
PW
T
0.0001
10
100
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
10000
脉冲宽度PW （S ）
Rev.2.00 ， Apr.02.2004 ， 7 5页
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