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CY7C1484V33
CY7C1485V33
最大额定值
超出最大额定值,可能会损害其使用寿命
该设备。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND ........ -0.5V至+ 4.6V
在V电源电压
DDQ
相对于GND ...... -0.5V到+ V
DD
直流电压应用到输出的
在三州........................................... -0.5V到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压................................... -0.5V至V
DD
+ 0.5V
目前进入输出( LOW ) ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... >2001V
( MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流............................................... ..... >200毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
V
DDQ
3.3V –5%/+10% 2.5V – 5%
到V
DD
-40 ° C至+ 85°C
电气特性
在整个工作范围
[13, 14]
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
描述
电源电压
IO电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高
输入低
电压
[13]
电压
[13]
对于3.3V的IO
对于2.5V的IO
对于3.3V的IO ,我
OH
= -4.0毫安
对于2.5V的IO ,我
OH
= -1.0毫安
对于3.3V的IO ,我
OL
= 8.0毫安
对于2.5V的IO ,我
OL
= 1.0毫安
对于3.3V的IO
对于2.5V的IO
对于3.3V的IO
对于2.5V的IO
输入漏电流
除ZZ和MODE
GND
V
I
V
DDQ
2.0
1.7
–0.3
–0.3
–5
–30
5
–5
30
–5
5
500
500
450
245
245
245
120
4纳秒的周期, 250兆赫
5 ns的周期, 200兆赫
6 ns的周期, 167兆赫
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大,设备选中,
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
4纳秒的周期, 250兆赫
5 ns的周期, 200兆赫
6 ns的周期, 167兆赫
测试条件
3.135
3.135
2.375
2.4
2.0
0.4
0.4
V
DD
+ 0.3V
V
DD
+ 0.3V
0.8
0.7
5
最大
3.6
V
DD
2.625
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
A
A
A
A
A
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
模式输入输入电流= V
SS
输入= V
DD
ZZ的输入电流
I
OZ
I
DD
输入= V
SS
输入= V
DD
输出漏电流GND
V
I
V
DDQ ,
输出禁用
V
DD
工作电源
当前
V
DD
=最大,我
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
CYC
I
SB2
I
SB3
自动CE
V
DD
=最大,设备取消,所有速度
掉电
V
IN
0.3V或V
IN
& GT ; V
DDQ
– 0.3V,
目前, CMOS输入F = 0
V
DD
=最大,设备选中,或4纳秒的周期, 250兆赫
自动CE
掉电
V
IN
0.3V或V
IN
& GT ; V
DDQ
- 0.3V 5 ns的周期, 200兆赫
目前, CMOS输入端F = F
最大
= 1/t
CYC
6 ns的周期, 167兆赫
自动CE
掉电
目前-TTL输入
V
DD
=最大,设备选中,
V
IN
V
IH
或V
IN
V
IL
, f = 0
所有速度
245
245
245
135
mA
mA
mA
mA
I
SB4
笔记
13.过冲: V
IH
交流(AC) & LT ; V
DD
+ 1.5V (脉冲宽度小于吨
CYC
/ 2)。冲: V
IL
交流(AC) > -2V (脉冲宽度小于吨
CYC
/2).
14.上电:假设一个线性斜坡从0V到V
DD
(分钟)内200毫秒。在这段时间V
IH
& LT ; V
DD
和V
DDQ
& LT ; V
DD
.
文件编号: 38-05285牧师* G
第16页26
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