CY7C1484V33
CY7C1485V33
3.3V TAP交流测试条件
输入脉冲电平............................................... 。 V
SS
至3.3V
输入上升和下降时间............................................. ...... 1纳秒
输入时序参考电平1.5V ...........................................
输出参考电平............................................... 1.5V ....
测试负载端接电源电压1.5V ...............................
2.5V TAP交流测试条件
输入脉冲电平............................................... .. V
SS
到2.5V
输入上升和下降时间............................................. ........ 1纳秒
输入时序参考水平......................................... 1.25V
输出参考电平............................................... 。 1.25V
测试负载端接电源电压1.25V ............................
3.3V TAP AC输出负载等效
1.5V
50
TDO
Z
O
= 50
20pF
2.5V TAP AC输出负载等效
1.25V
50
TDO
Z
O
= 50
20pF
TAP DC电气特性和操作条件
（0°C < TA < + 70°C ; VDD = 3.135V至3.6V ，除非另有说明）
[11]
参数
V
OH1
V
OH2
V
OL1
V
OL2
V
IH
V
IL
I
X
描述
输出高电压
输出高电压
输出低电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
测试条件
I
OH
= -4.0毫安，V
DDQ
= 3.3V
I
OH
= -1.0毫安，V
DDQ
= 2.5V
I
OH
= –100 A
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 8.0毫安，V
DDQ
= 3.3V
I
OL
= 1.0毫安， V
DDQ
= 2.5V
I
OL
= 100 A
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
GND < V
IN
＆ LT ; V
DDQ
V
DDQ
= 3.3V
V
DDQ
= 2.5V
2.0
1.7
–0.5
–0.3
–5
民
2.4
2.0
2.9
2.1
0.4
0.4
0.2
0.2
V
DD
+ 0.3
V
DD
+ 0.3
0.7
0.7
5
最大
单位
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
A
识别寄存器定义
[12]
指令字段
版本号（ 31:29 ）
设备深度（ 28:24 ）
建筑/显存类型（ 23:18 ）
总线宽度/密度（ 17:12 ）
CYPRESS JEDEC ID CODE （ 11 ： 1 ）
ID寄存器状态指示器（ 0 ）
CY7C1484V33
（ 2M ×36 ）
000
01011
000110
100100
00000110100
1
CY7C1485V33
（ 4M ×18 ）
000
01011
000110
010100
00000110100
1
描述
描述的版本号
仅供内部使用
定义内存类型和建筑
定义宽度和密度
允许SRAM供应商的唯一标识
指示的ID寄存器中的存在
笔记
11.所有电压参考V
SS
（GND）。
12位＃ 24为“1 ”的ID寄存器定义了该设备的两个2.5V和3.3V版本。
文件编号： 38-05285牧师* G
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