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CY7C1366A/GVT71256C36
CY7C1367A/GVT71512C18
突发地址表（ MODE = NC / V
CC
)
第一次
地址
（外部）
A...A00
A...A01
A...A10
A...A11
第二
地址
（内部）
A...A01
A...A00
A...A11
A...A10
第三
地址
（内部）
A...A10
A...A11
A...A00
A...A01
第四
地址
（内部）
A...A11
A...A10
A...A01
A...A00
突发地址表（ MODE = GND）
第一次
地址
（外部）
A...A00
A...A01
A...A10
A...A11
第二
地址
（内部）
A...A01
A...A10
A...A11
A...A00
第三
地址
（内部）
A...A10
A...A11
A...A00
A...A01
第四
地址
（内部）
A...A11
A...A00
A...A01
A...A10
真值表
[3, 4, 5, 6, 7, 8, 9]
手术
取消循环，电源
下
取消循环，电源
下
取消循环，电源
下
取消循环，电源
下
取消循环，电源
下
读周期，开始突发
读周期，开始突发
写周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，开始突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
读周期，继续突发
写周期，继续突发
写周期，继续突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
读周期，暂停突发
写周期，暂停突发
写周期，暂停突发
地址一起使用CE
无
无
无
无
无
外
外
外
外
外
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
当前
当前
当前
当前
当前
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
X
X
H
H
X
H
X
X
H
H
X
H
CE
2
X
X
H
X
H
L
L
L
L
L
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
CE
2
X
L
X
L
X
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
ADSP
X
L
L
H
H
L
L
H
H
H
H
H
X
X
H
X
H
H
X
X
H
X
ADSC
L
X
X
L
L
X
X
L
L
L
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
H
ADV写OE
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
X
X
X
X
X
X
X
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
H
H
H
L
L
X
X
X
X
X
L
H
X
L
H
L
H
L
H
X
X
L
H
L
H
X
X
CLK
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
DQ
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
高-Z
Q
高-Z
D
Q
高-Z
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
Q
高-Z
Q
高-Z
D
D
注意事项：
3， X = “不在乎。 ”H =逻辑高电平。 L =逻辑低电平。
对于X36的产品，写= L手段[ BWE + BWA BWB * * * BWC BWD ] * GW等于低。写= H手段[ BWE + BWA BWB * * * BWC BWD ] * GW等于高。
对于X18的产品，写= L手段[ BWE + BWA * BWB ] * GW等于低。写= H手段[ BWE + BWA * BWB ] * GW等于高。
4. BWA使写入DQA 。 BWB能写DQB 。 BWC能写DQC 。 BWD能写DQD 。
5.除OE所有的输入必须满足建立和保持CLK周围的上升沿时间（由低至高） 。
6.挂起一阵产生等待周期。
7.对于下面的读操作的写操作中，操作环境必须为高电平的输入数据所需要的建立时间加上高阻时间为参考之前和HIGH整个停留
的输入数据保持时间。
8.该设备包含的电路，以确保输出将在高阻电期间。
9. ADSP LOW随着芯片被选中总是启动一个读周期，在CLK的LH边缘。写周期可以通过设置写低位的执行
随后的等待周期的CLK L-H边缘。请参阅写时序图进行澄清。
8
