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CY7C1046DV33
交流测试负载和波形
[4]
Z=50
产量
50
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
高阻抗特性：
3.3V
产量
5 pF的
(c)
R2
351
R 317
1.5V
(a)
3.0V
90%
所有的输入脉冲
90%
10%
10%
30 pF的*
GND
上升时间： 1 V / ns的
(b)
下降时间： 1 V / ns的
AC开关特性
在整个工作范围
[5]
-10
参数
读周期
t
power[6]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
周期
[9, 10]
写周期时间
描述
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
[8]
OE高来高-Z
[7, 8]
CE低到低Z
[8]
CE高来高-Z
[7, 8]
CE为低电时
CE高到掉电
分钟。
100
10
马克斯。
单位
s
ns
10
3
10
5
0
5
3
5
0
10
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
WE低到
[8]
高-Z
[7, 8]
注意事项：
4. AC特性（高Z除外）使用（a）中所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载显示所有速度
（c）中。
5.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
6. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
7. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出输入高电平的转换测量
阻抗状态。
8.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
9.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
10.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05611牧师* B
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