ILD1615 / ILQ1615
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
民
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前， -1，-2
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
70
7.0
民
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
集电极 - 发射极间的泄漏，-3， -4 V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
民
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
Ω
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
部分
ILD1615-1
ILQ1615-1
ILD1615-2
ILQ1615-2
ILD1615-3
ILQ1615-3
ILD1615-4
ILQ1615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
民
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
文档编号82582
修订版1.5 ， 23 -MAR -06
www.vishay.com
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