ILD1615 / ILQ1615
威世半导体
光电耦合器，光电晶体管输出（双通道，四通道） ，
110 °C测量
特点
从工作温度
- 55 ° C至+ 110℃
相同的通道到通道足迹
e3
双核和四包的特点：
- 减少电路板空间
- 更低的引脚和零件计数
- 更好的通道间匹配CTR
- 改进的共模抑制
隔离测试电压， 5300 V
RMS
铅（Pb） -free组件
按照RoHS 2002/95 / EC组件
和WEEE 2002/96 / EC
双通道
A 1
C 2
A 3
C 4
8 C
7 E
6 C
5 E
四通道
A
1
C
2
A
C
A
C
A
3
4
5
6
7
16
C
15
E
14
C
13
E
12
C
11
E
10
C
9
E
机构认证
UL1577 ，文件号E52744系统代码H或按J ，
双重保护
CSA 93751
BSI IEC60950 IEC60065
DIN EN 60747-5-2 （ VDE0884 ）
DIN EN 60747-5-5待定
可通过选项1
C
8
i179052
描述
在ILD / Q1615是多通道110℃额定光子
使用砷化镓IRLED emiters totransistor光电耦合器
和高增益的NPN光电晶体管。这些设备是
构建使用上/下引线框架光学cou-
耦和双重绝缘成型技术result-
荷兰国际集团的7500伏耐压试验电压
PEAK
AND A
1700 V工作电压
RMS
.
该分级最小值/最大值。和线性特性CTR
使这些器件非常适用于直流或交流电压
检测。消除了光电晶体管基极连接
化提供了附加的电抗噪能力从
在很多工业控制中的瞬变环境
求。
由于保证最高的非饱和的和
饱和开关特性，在ILD / Q1615能
在中速数据I / O和控制系统中使用。
该分级最小值/最大值。 CTR规格便于
最坏的情况下计算的界面为水平探测器
化和开关应用。用接口
CMOS逻辑电路是由保证增强
CTR在我
F
= 1.0毫安。
订购信息
部分
ILD1615-1
ILQ1615-1
ILD1615-2
ILQ1615-2
ILD1615-3
ILQ1615-3
ILD1615-4
ILQ1615-4
备注
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 8
点击率40 ％ - 80％ ， DIP- 16
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 8
CTR 63 - 125 ％ ， DIP- 16
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 8
CTR 100 - 200 ％ ， DIP- 16
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 8
CTR 160 - 320 ％ ， DIP- 16
有关可用选项的更多信息，请参阅
选项信息。
文档编号82582
修订版1.5 ， 23 -MAR -06
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1
ILD1615 / ILQ1615
威世半导体
绝对最大额定值
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
超过绝对最大额定值的应力可能会导致器件的永久性损坏。该设备的功能操作
在超过本文档中的业务部门给这些或任何其他条件不暗示。暴露在绝对
最大额定的时间产生不利影响可靠性长时间。
输入
参数
反向电压
正向电流
浪涌电流
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
V
R
I
F
I
FSM
P
DISS
价值
6.0
60
1.5
100
1.0
单位
V
mA
A
mW
毫瓦/°C的
产量
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
集电极电流
吨< 1.0毫秒
功耗
从25° C减免线性
测试条件
符号
BV
首席执行官
BV
ECO
I
C
I
C
P
DISS
价值
70
7.0
50
100
150
1.5
单位
V
V
mA
mA
mW
毫瓦/°C的
耦合器
参数
储存温度
工作温度
焊接温度
封装功耗，
ILD1615
从25° C减免线性
封装功耗，
ILQ1615
从25° C减免线性
绝缘测试电压
爬电距离
净空
绝缘电阻
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 25 °C
V
IO
= 500 V ，T
AMB
= 100 °C
R
IO
R
IO
T = 1.0秒。
V
ISO
从案例2.0毫米距离
底部
测试条件
符号
T
英镑
T
AMB
T
SLD
价值
- 55至+ 150
- 55至+ 110
260
400
5.33
500
6.67
5300
≥
7.0
≥
7.0
≥
10
12
≥
10
11
单位
°C
°C
°C
mW
毫瓦/°C的
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
mm
mm
Ω
Ω
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2
文档编号82582
修订版1.5 ， 23 -MAR -06
ILD1615 / ILQ1615
威世半导体
电气特性
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
最小值和最大值的测试要求。典型的值是该设备的特征和是工程的结果
评价。典型值仅作为信息，不属于测试要求的一部分。
输入
参数
正向电压
击穿电压
反向电流
电容
测试条件
I
F
= 10毫安
I
R
= 10 A
V
R
= 6.0 V
V
R
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
符号
V
F
V
BR
I
R
C
O
民
1.0
6.0
典型值。
1.15
30
0.01
25
10
最大
1.3
单位
V
V
A
pF
产量
参数
集电极 - 发射极电容
集电极 - 射极漏泄
当前， -1，-2
集电极 - 发射极击穿
电压
发射极 - 集电极击穿
电压
包传输特性
通道/通道CTR比赛
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 5.0 V
CTRX /
CTRY
1对1
2比1
测试条件
V
CE
= 5.0 V ， F = 1.0 MHz的
V
CE
= 10 V
符号
C
CE
I
首席执行官
I
首席执行官
BV
首席执行官
BV
ECO
70
7.0
民
典型值。
6.8
2.0
5.0
50
100
最大
单位
pF
nA
nA
V
V
集电极 - 发射极间的泄漏，-3， -4 V
CE
= 10 V
I
CE
- 0.5毫安
I
E
- 0.1毫安
耦合器
参数
电容（输入输出）
绝缘电阻
通道间隔离
测试条件
V
IO
= 0 V ， F = 1.0 MHz的
V
IO
= 500 V ，T
A
= 25 °C
符号
C
IO
R
S
10
12
500
民
典型值。
0.8
10
14
最大
单位
pF
Ω
VAC
电流传输比
参数
电流传输比
（集电极 - 发射极饱和的）
测试条件
I
F
= 10 mA时， V
CE
= 0.4 V
部分
ILD1615-1
ILQ1615-1
ILD1615-2
ILQ1615-2
ILD1615-3
ILQ1615-3
ILD1615-4
ILQ1615-4
符号
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
CTR
CESAT
民
典型值。
25
40
60
100
最大
单位
%
%
%
%
文档编号82582
修订版1.5 ， 23 -MAR -06
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3
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