ILD1205T/1206T/1207T
威世半导体
安全性和绝缘等级
1)
参数
气候分类
（根据IEC 68部分1 ）
污染度
（ DIN VDE 0109 ）
漏电起痕指数
符合DIN IEC112 / VDE 0303
第1部分，ⅢA族按照DIN
VDE 6110 175 399
V
IOTM
V
IORM
电阻，输入到输出
P
SI
I
SI
T
SI
Creeapage
净空
1)
测试条件
部分
符号
分钟。
TYPE
55/110/21
2.0
最大
单位
mm
175
V
IOTM
V
IORM
R
IO
399
6000
560
100
350
150
165
4.0
4.0
V
V
Ω
mW
mA
°C
mm
mm
注意：
按照IEC60747-5-2 ， §7.4.3.8.1 ，这光耦适合于仅在安全评级"safe电insulation" 。遵守
安全等级应以保护电路装置来保证。
典型特征
T
AMB
= 25℃，除非另有说明
60
110 °C
IF-正向电流（mA ）
50
50 °C
40
25 °C
30
20
10
0
0.6
19149
30
0 °C
- 55 °C
集电极电流（毫安）
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
IF = 30毫安
IF = 20毫安
IF = 15毫安
IF = 10毫安
IF = 5毫安
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
4
5
6
7
8
9 10
VF-正向电压
(V)
V
CE
(V)
图4. V
CE
与我
C
， （非饱和）
图3.正向电流与正向电压
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4
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文档编号83599
修订版1.9 ， 20 -APR- 07
