ILD1205T/1206T/1207T
威世半导体
绝对最大额定值
1)
参数
输入
连续正向电流每
通道
峰值反向电压
峰值脉冲电流
功耗
从25° C减免线性
产量
集电极 - 发射极电压
每通道功耗
从25° C减免线性
耦合器
绝缘测试电压
工作温度
总包耗散
环境（ 2个LED + 2探测器，
2个通道）
从25° C减免线性
储存温度
1)
测试条件
符号
价值
单位
I
F
V
R
1.0微秒， 300 PPS
I
FSM
P
DISS
30
6.0
1.0
50
0.5
mA
V
A
mW
毫瓦/°C的
V
mW
毫瓦/°C的
V
RMS
°C
mW
毫瓦/°C的
°C
V
CE
P
DISS
70
125
1.25
T = 1.0秒
V
ISO
T
AMB
P
合计
4000
- 55至+ 110
300
4.0
T
英镑
- 55至+ 150
注意：
T
AMB
= 25℃，除非另有规定。
超过绝对最大额定值的应力可能会导致永久性损坏设备。该设备的功能操作不
隐含在超过那些在本文档的业务部门给出的这些或任何其他条件。暴露在绝对最大
评级的长时间可不利地影响可靠性。
150
120
PHOTOTRANSISTOR
P
总
（ mW）的
90
60
30
0
0
20
40
60
80
100
120
IR - 二极管
17544
环境温度（ ℃）
图1.功耗与环境温度
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2
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文档编号83599
修订版1.9 ， 20 -APR- 07
