IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
图。 7.输入上将ittance
14
12
10
14
12
10
图。 8.跨导
T
J
= -40
C
25
C
125
C
I
D
- 安培
8
6
4
2
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
- 西门子
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
的s
- V OLTS
图。 9.源币种鄂西北VS 。
酸味CE - 要漏V oltage
24
10
9
20
16
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 4A
I
G
=一千万
g
fs
I
D
- 一个mperes
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.7
0.8
0.9
1
6
5
4
3
2
1
12
T
J
= 125
C
8
4
0
0.4
0.5
0.6
0
0
2
4
6
8
G
10
12
14
16
18
20
22
V
S.D。
- V OLTS
图。 11.电容
10000
F = 1MH
100
Q
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全Ope宇宙阿婷氩E A
R
DS （ ON）
LIM它
国际空间站
电容 - 皮法
I
D
- 安培
1000
10
25s
100s
1
T
J
= 150C
1米s
DC
10米s
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
10
T
C
= 25C
100
1000
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
S
- V OLTS
