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位置：首页 > IC型号导航 > 首字符I型号页 > 首字符I的型号第190页 > IXTP8N50P
PolarHV
TM
功率MOSFET
N沟道增强模式
额定雪崩
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
V
DSS
I
D25
R
DS （ ON）
= 500
=
8
≤
0.8
V
A
符号
V
DSS
V
DGR
V
GS
V
GSM
I
D25
I
DM
I
AR
E
AR
E
AS
dv / dt的
P
D
T
J
T
JM
T
英镑
T
L
T
出售
M
d
重量
测试条件
T
J
= 25 ℃至150 ℃的
T
J
= 25 ℃至150 ℃;
GS
= 1 M
连续
短暂
T
C
= 25° C
T
C
= 25 ℃，脉冲宽度限制T
JM
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
T
C
= 25° C
I
S
≤
I
DM
， di / dt的
≤
100 A / μs的，V
DD
≤
V
DSS
,
T
J
≤
150℃ ，R
G
= 18
T
C
= 25° C
最大额定值
500
500
±30
±40
8
14
8
20
400
10
150
-55 ... +150
150
-55 ... +150
V
V
V
V
A
A
A
mJ
mJ
V / ns的
W
°C
°C
°C
°C
°C
TO- 263 （ IXTA ）
G
S
（ TAB ）
的TO-220 （ IXTP ）
G
S
（ TAB ）
G =门
S =源
D =漏
TAB =漏
从案例10秒1.6毫米（ 0.062英寸）
塑料机身10秒
安装力矩
TO-220
TO-263
(TO-220)
300
260
1.13 / 10牛米/ lb.in 。
4
3
g
g
特点
l
l
l
符号
测试条件
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
BV
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
V
GS
= 0 V，I
D
= 250
A
V
DS
= V
GS
, I
D
= 100A
V
GS
=
±30
V
DC
, V
DS
= 0
V
DS
= V
DSS
V
GS
= 0 V
T
J
= 125° C
特征值
MIN 。 TYP 。
马克斯。
500
3.0
5.5
±100
5
50
0.8
V
V
nA
A
A
国际标准封装
非钳位感应开关（ UIS）
评级
低封装电感
- 易于驾驶和保护
优势
l
l
l
易于安装
节省空间
高功率密度
V
GS
= 10 V，I
D
= 0.5 I
D25
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
2006 IXYS所有权利
DS99321E(03/06)
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
符号
测试条件
特征值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
分钟。
典型值。
马克斯。
5
8
1050
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V ， F = 1兆赫
120
12
22
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= I
D25
R
G
= 18
（外部）
28
65
23
20
V
GS
= 10 V, V
DS
= 0.5 V
DSS
, I
D
= 0.5 I
D25
7
7
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
0.83 ° C / W
(TO-220)
0.25
°
C / W
TO- 263 （ IXTA ）大纲
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
Q
G（ ON）的
Q
gs
Q
gd
R
thJC
R
乡镇卫生院
V
DS
= 10 V ;我
D
= 0.5 I
D25
，脉冲测试
源极 - 漏极二极管
符号
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
测试条件
V
GS
= 0 V
重复
特征值
(T
J
= 25 ℃，除非另有规定）
分钟。
典型值。
马克斯。
8
14
1.5
400
A
A
V
ns
TO- 220 （ IXTP ）大纲
I
F
= I
S
, V
GS
= 0 V,
脉冲测试，T
≤
300
s,
占空比
≤
2 %
I
F
= 8 A，V
GS
=0V, V
R
=100V
-di / DT = 100 A / μs的
销： 1 - 门
3 - 来源
2 - 漏极
4 - 漏极
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
IXYS MOSFET和IGBT均受4835592
一个或moreof以下美国专利： 4850072
4,881,106
4,931,844
5,017,508
5,034,796
5,049,961
5,063,307
5,187,117
5,237,481
5,381,025
5,486,715
6,162,665
6,259,123 B1
6,306,728 B1
6,404,065 B1
6,534,343
6,583,505
6,683,344
6,710,405B2
6,710,463
6,727,585
6,759,692
6,771,478 B2
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
图。 1.输出特性
@ 25
C
8
7
6
V
GS
= 10V
8V
7V
16
14
12
7V
V
GS
= 10V
8V
图。 2.扩展的输出特性
@ 25
C
I
D
- 安培
5
4
3
2
1
0
0
1
2
3
4
5
6
7
5V
6V
I
D
- 安培
10
8
6
4
2
5V
0
0
3
6
9
12
15
18
21
24
27
30
6V
V
S
- 伏特
图。 3.输出特性
@ 125
C
8
7
6
V
GS
= 10V
8V
7V
3.1
2.8
V
GS
= 10V
V
S
- 伏特
图。 4.
DS （上
)
规范alized 0.5我
D25
值与结tem温度
R
S（O N）
- 归
2.5
2.2
1.9
1.6
1.3
1
0.7
0.4
I
D
= 4A
I
D
= 8A
I
D
- 安培
5
4
3
2
1
0
0
2
4
6
8
6V
5V
10
12
14
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
V
S
- 伏特
图。 5.
DS （ ON）
规范alized到
0.5 I
D25
价值与我
D
3.2
3
2.8
V
GS
= 10V
T
J
= 125
C
9
8
7
T
J
- 摄氏
图。 6.漏电流与案例
tem温度
R
S（O N）
- 归
2.6
2.2
2
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0
2
4
6
8
10
12
14
16
18
T
J
= 25
C
I
D
- 安培
2.4
6
5
4
3
2
1
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
I
D
- 安培
T
C
- 摄氏
2006 IXYS所有权利
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
图。 7.输入上将ittance
14
12
10
14
12
10
图。 8.跨导
T
J
= -40
C
25
C
125
C
I
D
- 安培
8
6
4
2
0
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
7
T
J
= 125
C
25
C
-40
C
- 西门子
8
6
4
2
0
0
2
4
6
8
10
12
14
V
的s
- V OLTS
图。 9.源币种鄂西北VS 。
酸味CE - 要漏V oltage
24
10
9
20
16
8
7
V
DS
= 250V
I
D
= 4A
I
G
=一千万
g
fs
I
D
- 一个mperes
图。 10.栅极电荷
I
S
- 安培
V
的s
- 伏特
T
J
= 25
C
0.7
0.8
0.9
1
6
5
4
3
2
1
12
T
J
= 125
C
8
4
0
0.4
0.5
0.6
0
0
2
4
6
8
G
10
12
14
16
18
20
22
V
S.D。
- V OLTS
图。 11.电容
10000
F = 1MH
100
Q
- nanocoulombs
图。 12. FORW ARD偏置
安全Ope宇宙阿婷氩E A
R
DS （ ON）
LIM它
国际空间站
电容 - 皮法
I
D
- 安培
1000
10
25s
100s
1
T
J
= 150C
1米s
DC
10米s
OSS
100
RSS
10
0
5
10
15
20
25
30
35
40
0.1
10
T
C
= 25C
100
1000
V
S
- V OLTS
IXYS保留更改限制，试验条件和尺寸的权利。
V
S
- V OLTS
IXTA 8N50P
IXTP 8N50P
图。 13. M的Axim庵泛即新台币RM人再s是tance
1.00
R
T H， J·C
-
C / W
0.10
0.001
0.01
0.1
1
10
脉冲宽度 - 秒
2006 IXYS所有权利
IXYS REF ： T_8N50P （ 37 ） 06年3月21日， A.XLS
查看更多IXTP8N50PPDF信息
推荐型号
IRKNF81-02CP
IM42TS
IXTM6N60
IDT54FCT162500CTPV
IDT54FCT645TSOB
IS80C286-10
IC62LV256L-20JI
IRKNF111-06FM
IRLW24A
ISPLSI1032EA-200LT100
INA126UA/2K5
IS41LV16256-35T
ISP815X
IAM-E44
ISD4003-06MX
IXBK75N170A
IP7815K
IXP2400
IDT7205L25TDB
ISL84521IVZ
供货商
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厂家
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单价/备注
操作
    深圳市壹芯创科技有限公司
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    电话：0755-82780082
    联系人：杨小姐
    地址：深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    IXTP8N50P
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

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地址：深圳市龙岗区坂田街道东坡路3号万致天地商业中心（A塔）1栋一单元1602
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VB
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