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牛津半导体有限公司
OX16C950 REV B
注册
SPR
读/写
10
名字
OFFSET
索引的控制寄存器设置
ACR
0x00
读/写
第7位
Addit-
有理
状态
启用
第6位
ICR
读
启用
第5位
950
TRIGGER
水平
启用
4位
第3位
第2位
第1位
位0
CPR
TCR
中正
TTL
RTL
整箱
FCH
ID1
ID2
ID3
转
企业社会责任
NMR
MDM
RFC
GDS
DMS
PIDX
CKA
0x01
0x02
0x03
0x04
0x05
0x06
0x07
0x08
0x09
0x0A
0x0B
0x0C
0x0D
0x0E
0X0F
0X10
0x11
0x12
0x13
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
读/写
R
R
R
R
W
读/写
读/写
R
R
读/写
R
读/写
TX 1X
模式
未使用
未使用
未使用
未使用
AUTO
Tx
Rx
DSR
关闭
关闭
溢流
控制
启用
5位“整数”的一部分
3位“分数”的一部分
时钟预分频器
时钟预分频器
未使用
4位n倍的时钟
选择位[3：0 ]
TX CLK
BDOUT
DTR 1X
接收1X
关闭
接收器
SELECT
在DTR
TX CLK
模式
BDOUT
时钟SEL [ 1：0]
发送器中断触发电平（ 0-127 ）
接收器中断触发电平（ 1-127 ）
自动流量控制下触发电平（ 0-127 ）
自动流量控制高级触发电平（ 1-127 ）
硬连线ID字节1 （为0x16 ）
硬连线ID字节1 （ 0xC9 ）
硬连线ID字节1 （为0x50 ）
硬连线修改字节（ 0×03 ）
DTR定义和
控制
0x00写入该寄存器会
重置UART （除中正和CKA寄存器）
未使用
9
th
位
9
th
位
9
th
位
9
th
位
SCHAR 4
SCHAR 3
SCHAR 2
SCHAR 1
尾随
DCD
RI边缘
未使用
唤醒
关闭
关闭
FCR[7]
FCR[6]
FCR[5]
FCR[4]
FCR[3]
FCR[2]
未使用
FORCE
TXRDY
待用
FORCE
RXRDY
待用
未使用
9
th
位的诠释。
恩。
DSR
唤醒
关闭
FCR[1]
未使用
硬连接端口指数（ ×00）
产量
利用
倒置
SYS -CLK
CLKSEL
DTR
在TXRDY
引脚
信号
SYS -CLK
TXRDY
状态
(R)
倒置
国内
TX时钟
9位
启用
CTS
唤醒
关闭
FCR[0]
良好
数据
状态
RXRDY
状态
(R)
倒置
国内
RX时钟
表7 ：索引的控制寄存器设置
注10： SPR偏移柱表示必须被写入的SPR之前读取的值/写任何的索引的控制寄存器
通过ICR 。表中未列出的偏移值被保留以供将来使用，并且不能被使用。
要读取或写入的任何索引的控制寄存器的使用以下过程。
写ICR寄存器：
确保写入LCR的最后一个值不为0xBF （预留650兼容的寄存器访问值） 。
写入所需的偏移SPR （地址111
2
).
数据表修订版1.2
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