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EEPROM数据寄存器 -
EEDR
位
$1D ($3D)
读/写
初始值
7
最高位
读/写
0
6
5
4
3
2
1
0
最低位
EEDR
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
读/写
0
位7..0 - EEDR7..0 ： EEPROM数据
对于EEPROM写操作， EEDR寄存器包含将要写入的数据
在EEPROM中的寄存器EEAR给出的地址。对于EEPROM读操作
ATION ， EEDR是包含从EEPROM中读出由下式给出的地址中的数据
EEAR 。
EEPROM控制寄存器 -
EECR
位
$1C ($3C)
读/写
初始值
7
–
R
0
6
–
R
0
5
–
R
0
4
–
R
0
3
EERIE
读/写
0
2
EEMWE
读/写
0
1
EEWE
读/写
0
0
EERE
读/写
0
EECR
位7..4 - Res：保留位
这些位保留在ATtiny26上（L ）位，读为零。
位3 - EERIE ： EEPROM就绪中断使能
当SREG和EERIE的I位被置位（ 1 ） ， EEPROM就绪中断
启用。当清零（零） ，中断被禁止。 EEPROM就绪中断
生成时EEWE清零恒定中断（零）。
位2 - EEMWE ： EEPROM写使能
该EEMWE位决定设置EEWE一个是否会导致EEPROM是
写的。当EEMWE被置位（ 1 ） ， EEWE置将在将数据写入到EEPROM中
选定的地址。如果EEMWE为零，设置EEWE将没有任何效果。当EEMWE
已设置（ 1 ）通过软件，硬件清零位后4个时钟周期。
看到EEWE位的EEPROM写过程的描述。
位1 - EEWE ： EEPROM写使能
EEPROM的写使能信号 - EEWE - 是写选通到EEPROM中。当
地址和数据的设置是否正确， EEWE位必须设置为写入的值
EEPROM中。当逻辑1写入EEWE的EEMWE位必须设置，
否则EEPROM写操作为止。下面的过程应该遵循
写EEPROM时（步骤的顺序图2和3是非本质） ：
1.等待EEWE变为零。
2.将新的EEPROM地址写入EEAR （可选）。
3.将新的EEPROM数据写入EEDR （可选）。
4.写逻辑1的EECR的EEMWE位。
5.在四个时钟周期内设置EEMWE后，写了一个合乎逻辑的一个EEWE 。
注意事项：
第4步和第5步之间的中断将导致写操作失败，因为
EEPROM写使能操作将超时。如果一个中断程序访问
EEPROM是打断了另一个EEPROM操作， EEAR或EEDR注册会
修改，引起EEPROM操作失败。建议有
在所有的步骤，以避免这些问题的全局中断标志清除。
时的访问时间（通常为8.3毫秒）之后， EEWE位被清零（零）以
硬件。用户可以凭借这一点，并等待一个零写入下一个前
字节。当EEWE置位后，CPU在之前的下一个停止两个时钟周期
指令被执行。
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ATtiny26(L)
1477I–AVR–10/06
