DF3A6.8FUT1
首选设备
齐纳瞬态电压
抑制器
双共阳极齐纳二极管的ESD
保护
http://onsemi.com
这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
1
3
2
记号
图
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式4
68
M
68
M
无铅包装是否可用
SC- 70封装允许两个独立的单向配置
低漏< 1.0
mA
@ 5.0 V
击穿电压： 6.4-7.2 V @ 5.0毫安
ESD保护会议： 16千伏人体模型
30 kV接触放电IEC61000-4-2 =
峰值功率：24瓦@ 1.0毫秒（单向） ，按照图1
峰值功率： 150瓦@ 20
ms
（单向） ，按照图2
机械特性
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
DF3A6.8FUT1
DF3A6.8FUT1G
包
SC70
SC70
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
完成耐腐蚀，易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
最大额定值
等级
稳定状态下的功耗
减免上述25° C（注1 ）
热阻结到环境
工作结存储
温度范围
峰值功耗@ 1.0毫秒
（注2 ） @ T
A
= 25°C
峰值功耗@ 20
ms
（注3）
@ T
A
= 25°C
ESD放电
MIL STD 883C - 法3015-6
IEC61000-4-2 ，空气放电
IEC61000-4-2 ，接触放电
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
P
PK
P
PK
V
PP
16
30
30
价值
200
1.6
618
- 55
+150
20
150
单位
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°C
W
W
kV
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.安装在FR- 5局= 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
2.按照图1的非重复脉冲。
3.按照图2非重复性脉冲。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 第1版
出版订单号：
DF3A6.8FUT1/D
