DF3A6.8FUT1
首选设备
齐纳瞬态电压
抑制器
双共阳极齐纳二极管的ESD
保护
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这些双单片硅齐纳二极管被设计为
应用程序需要的瞬态过电压保护功能。他们
旨在用于在电压和ESD敏感设备如
计算机，打印机，商用机器，通信系统，
医疗设备和其他应用程序。他们共同的双结
阳极保护设计两条线只用一个包。这些
器件非常适合的情况下电路板空间非常珍贵。
特点
1
3
2
记号
图
1
2
SC70/SOT323
CASE 419
方式4
68
M
68
M
无铅包装是否可用
SC- 70封装允许两个独立的单向配置
低漏< 1.0
mA
@ 5.0 V
击穿电压： 6.4-7.2 V @ 5.0毫安
ESD保护会议： 16千伏人体模型
30 kV接触放电IEC61000-4-2 =
峰值功率：24瓦@ 1.0毫秒（单向） ，按照图1
峰值功率： 150瓦@ 20
ms
（单向） ，按照图2
机械特性
=具体设备守则
=日期代码
订购信息
设备
DF3A6.8FUT1
DF3A6.8FUT1G
包
SC70
SC70
（无铅）
航运
3000 /磁带&卷轴
3000 /磁带&卷轴
无空隙，传递模塑，热固性塑料外壳
完成耐腐蚀，易焊
包装最优设计自动化委员会汇编
小封装尺寸为高密度应用
最大额定值
等级
稳定状态下的功耗
减免上述25° C（注1 ）
热阻结到环境
工作结存储
温度范围
峰值功耗@ 1.0毫秒
（注2 ） @ T
A
= 25°C
峰值功耗@ 20
ms
（注3）
@ T
A
= 25°C
ESD放电
MIL STD 883C - 法3015-6
IEC61000-4-2 ，空气放电
IEC61000-4-2 ，接触放电
符号
P
D
R
qJA
T
J
, T
英镑
P
PK
P
PK
V
PP
16
30
30
价值
200
1.6
618
- 55
+150
20
150
单位
°毫瓦°
毫瓦/°C的
° C / W
°C
W
W
kV
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D 。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
最大额定值超出该设备损坏可能会发生这些值。
施加到器件的最大额定值是个人压力限值（不
正常工作条件下），并同时无效。如果这些限制
被超过，设备功能操作不暗示，可能会损坏
和可靠性可能会受到影响。
1.安装在FR- 5局= 1.0 X 0.75 X 0.062英寸
2.按照图1的非重复脉冲。
3.按照图2非重复性脉冲。
半导体元件工业有限责任公司， 2004年
1
2004年7月 - 第1版
出版订单号：
DF3A6.8FUT1/D
DF3A6.8FUT1
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
符号
V
RWM
I
R
V
BR
I
T
I
F
V
F
Z
ZT
Z
ZK
参数
工作峰值反向电压
最大反向漏电流@ V
RWM
击穿电压@ I
T
测试电流
正向电流
正向电压@ I
F
最大齐纳阻抗@ I
ZT
最大齐纳阻抗@ I
ZK
I
PP
V
C
V
BR
V
RWM
I
R
V
F
I
T
V
I
F
I
单向TVS
电气特性
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
单向
（电路连接到引脚1和3或2和3）
参数
正向电压
齐纳电压（注4 ）
操作阻力（注5）
符号
V
F
V
Z
Z
ZK
Z
ZT
反向电流
钳位电压
I
R1
V
C
条件
I
F
= 10毫安
I
ZT
= 5毫安
I
ZK
- 0.5毫安
I
ZT
= 5毫安
V
RWM
= 5 V
I
PP
= 2.0 A（图1 ）
I
PP
= 9.37 A（图2 ）
6.4
民
典型值
0.8
6.8
最大
0.9
7.2
200
50
0.5
9.6
16
ESD保护
人体模型（ HBM ）
联系我们 - IEC61000-4-2
空气放电
16
30
30
单位
V
V
W
W
mA
V
V
kV
4. V
Z
在脉冲测试电流I测量
ZT
在25 ℃的环境温度下进行。
5. Z
ZT
和Z
ZK
通过将通过供给的AC电流加在器件上的交流电压降进行测量。 AC频率= 1.0千赫。
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2
DF3A6.8FUT1
包装尺寸
SC- 70 （ SOT- 323 ）
CASE 419-04
ISSUE L
A
L
3
注意事项：
1.尺寸和公差符合ANSI
Y14.5M ， 1982年。
2.控制尺寸：英寸。
暗淡
A
B
C
D
G
H
J
K
L
N
S
英寸
民
最大
0.071
0.087
0.045
0.053
0.032
0.040
0.012
0.016
0.047
0.055
0.000
0.004
0.004
0.010
0.017 REF
0.026 BSC
0.028 REF
0.079
0.095
MILLIMETERS
民
最大
1.80
2.20
1.15
1.35
0.80
1.00
0.30
0.40
1.20
1.40
0.00
0.10
0.10
0.25
0.425 REF
0.650 BSC
0.700 REF
2.00
2.40
S
1
2
B
D
G
C
0.05 (0.002)
N
K
J
H
方式4 ：
PIN 1阴极
2.阴极
3.阳极
焊接足迹*
0.65
0.025
0.65
0.025
1.9
0.075
0.9
0.035
0.7
0.028
SCALE 10 ： 1
mm
英寸
*有关我们的无铅战略和焊接的其他信息
详细信息，请下载安森美半导体焊接与
安装技术参考手册， SOLDERRM / D 。
安森美半导体
和
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4
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