订购数量： ENA0732
FSS275
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
FSS275
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10s ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
安装在陶瓷板（ 2000毫米
2
0.8mm),
PW≤10s
条件
评级
60
±20
6
6.5
24
1.9
150
--55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 3A ， VGS = 4V
评级
民
60
1
±10
1.2
3.4
5.8
33
44
43
62
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
标记： S275
接下页。
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