订购数量： ENA0732
FSS275
三洋半导体
数据表
N沟道MOSFET硅
FSS275
特点
通用开关设备
应用
低导通电阻。
4V的驱动器。
特定网络阳离子
绝对最大额定值
在TA = 25℃
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
漏电流（ DC ）
漏电流（ PW≤10s ）
漏电流（ PW≤10μs ）
允许功耗
通道温度
储存温度
符号
VDSS
VGSS
ID
ID
IDP
PD
总胆固醇
TSTG
占空比= 1 ％
占空比= 1 ％
安装在陶瓷板（ 2000毫米
2
0.8mm),
PW≤10s
条件
评级
60
±20
6
6.5
24
1.9
150
--55到150
单位
V
V
A
A
A
W
°C
°C
电气特性
在TA = 25℃
参数
漏极至源极击穿电压
零栅极电压漏极电流
栅极 - 源极漏电流
截止电压
正向转移导纳
静态漏 - 源极导通电阻
符号
V（ BR ） DSS
IDSS
IGSS
VGS （关闭）
YFS
RDS(on)1
RDS(on)2
条件
ID = 1mA时， VGS = 0V
VDS = 60V ， VGS = 0V
VGS = ± 16V ， VDS = 0V
VDS = 10V ，ID = 1毫安
VDS = 10V ，ID = 3A
ID = 3A ， VGS = 10V
ID = 3A ， VGS = 4V
评级
民
60
1
±10
1.2
3.4
5.8
33
44
43
62
2.6
典型值
最大
单位
V
A
A
V
S
m
m
标记： S275
接下页。
任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或载有，关于产品
"standard application" ，意为用作一般电子设备（家电，影音设备，
通信设备，办公自动化设备，工业设备等）。本文提到的产品不得
意欲用于任何"special application" （医疗设备，其目的是维持生命，航天
仪器，核控制设备，燃烧设备，交通运输设备，交通信号控制系统，安全
设备等）应要求可靠性非常高的水平，可以直接威胁到人的生命的情况下，
故障或产品或故障可能导致危害人体组织中，也不得给予任何保证
物。如果您打算使用我们的产品的标准应用之外的应用我们
客户谁是考虑到这样的使用和/或外面的我们的预期标准的应用程序的范围，请
与我们之前的预期用途进行磋商。如果在预定使用之前没有咨询或查询，我们
客户应自行负责使用。
产品规格的任何及所有三洋半导体有限公司。本文描述或包含的产品规定
的性能，特点，以及在独立的状态下所描述的产品的功能，并且不
的性能，特点，以及所述产品的功能，作为安装在保证
客户的产品或设备。要验证的症状，并且不能在一个独立的评估状态
设备，客户必须不断的评估和测试设备安装在客户的产品或
设备。
东京办事处东京大厦。 ， 1-10 ， 1丁目，上野，台东区，东京， 110-8534 JAPAN
32207PA TI IM TC- 00000366号A0732-1 / 4
FSS275
从接下页。
参数
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅 - 漏“米勒”充电
二极管的正向电压
符号
西塞
科斯
CRSS
TD （上）
tr
TD （关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
VSD
条件
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
VDS = 20V ， F = 1MHz的
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
见指定的测试电路。
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 6A
VDS = 30V ， VGS = 10V ， ID = 6A
IS = 6A ， VGS = 0V
评级
民
典型值
1100
110
70
16
27
90
50
21
3.1
3.7
0.82
1.2
最大
单位
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
包装尺寸
单位：mm （典型值）
7005-002
8
5
0.3
开关时间测试电路
VDD=30V
10V
0V
VIN
ID=3A
RL=10
VIN
6.0
D
G
PW=10s
D.C.≤1%
VOUT
4.4
1
4
0.43
0.2
5.0
1 ：源
2 ：源
3 ：源
4 ：门
5 ：排水
6 ：排水
7 ：漏
8 ：排水
三洋： SOP8
P.G
50
S
FSS275
0.595
1.27
0.1
1.5
1.8最大
6
ID - VDS
5.0V
4.0V
8.0V
9
ID - VGS
VDS=10V
V
3.5
3.3V
8
7
10.0V
5
漏极电流ID -
6.0V
漏极电流ID -
16.0V
4
6
5
3
VGS=3.0V
2
3
2
Ta=75
°
C
0
0.5
1.0
1.5
2.0
4
1
1
0
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
0
25
°
C
2.5
3.0
--25
°
C
3.5
4.0
漏极至源极电压VDS - V
IT12181
栅极 - 源极电压VGS - V
IT12182
第A0732-2 / 4
FSS275
2.5
PD - TA
允许功耗， PD - 含
2.0
1.9
M
ou
NTE
d
1.5
on
a
ce
内存
ic
bo
ARD
1.0
0.5
(2
00
0m
m
2
0
.8m
m)
,
PW
0
0
20
40
60
80
100
120
≤
1
0s
160
140
环境温度，钽 -
°C
IT12191
注意使用情况：由于FSS275是MOSFET产品，请避免在附近使用本设备
高电荷的物体。
三洋半导体有限公司。承担设备故障而导致的使用不承担任何责任
超出的价值产品，即使是瞬间，额定数值（例如最大额定值，工作条件
在产品规格的任何及所有三洋半导体股份有限公司上市范围或其他参数） 。
本文描述或包含的产品。
三洋半导体有限公司。努力为客户提供高品质高可靠性的产品，然而，任何和所有
半导体产品故障或误动作有一定的概率。这是可能的，这些概率的故障或
故障可能会引起事故或事件，危及人的生命，这可能会引起麻烦
烟雾或火灾，事故或可能造成损害的其他财产。在设计设备，采用
安全的措施，确保不发生此类事故或事件。这些措施包括但不
为了保护电路，电路错误预防安全的设计，多余的设计和结构
设计。
倘任何或所有三洋半导体有限公司。描述或包含的产品均为
在任何当地出口管制法律和法规控制，这些产品可能需要
从有关根据上述法律，当局出口许可证。
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