LM26400Y
dershoot 。这通常发生在负载切换高点
时间V
OUT
只是减速至其监管水平从
过冲。
图4
示出了这种情况下的负载瓶酒
1.7A只有50毫安之间GLES 。
对于外部偏置推荐的电压为5V。由于
V的绝对最大额定值
BST
- V
SW
时，外部5V
偏差不应大于6V更高。
热关断
每当LM26400Y的结温EX-
ceeds 165℃时，MOSFET开关将保持关闭，直到
温度低于150℃ ，在该点的调节器
将通过硬启动迅速提高输出电压
恢复正常。因为它是一个硬启动，将有一个过
射击的输出。见热关断的典型
性能特性一节。
功率损耗估计
在LM26400Y的总功率损耗包括三个
配件 - 电源FET导通损耗，功率场效应管开关
荷兰国际集团的损失和IC的看家功率损耗。使用
以下方程来估计的导通损耗。
20200241
图4.极限载荷步
在这个例子中，负载的第一下降至50mA迅速
（ 0.9A /μs的） ，引起一个90μs无开关周期，然后
迅速上升到1.7A时， V
OUT1
只是打了监管
电平（1.2V ），因此，在输出中的大倾角440MV的
电压。
如果已知在一个系统设计的载荷可降至
小于100mA时的负载一步，负载可以
高切换任何时候它翻转为低电平后，采取以下
措施，以尽量减少潜在的额外的下冲。首先是
添加上述CFF 。第二是提高
输出电容。
例如，为了满足±10 ％V
OUT
游览要求
一个100mA至2A的负载阶跃，约200μF输出钙
pacitance是需要一个1.2V的输出，以及约44μF是
所需要的5V输出。
低输入电压注意事项
当V
IN
在3V和5V之间，则建议的
外部自举偏置电压和一个肖特基二极管被用于
处理高达2A的负载电流。看
图5
为插图
化。
其中T
J
是结点温度或目标结
温度如果前者是未知的。
DS
是导通电阻
tance内部FET在室温下的。使用180mΩ
对于R
DS
如果实际值是未知的。
可使用以下公式来估算的开关损失。
在IC的另一个损失是看家的损失。它是电源
由电路中的集成电路比功率FET等消散。
该方程为：
在为15mW是栅极驱动损耗。做计算为
信道，并找出在IC的总功率损耗。
功耗计算可以帮助估计整体pow-
呃供给效率。
例如：
V
IN
= 12V, V
OUT1
= 1.2V ，我
OUT1
= 2A ，V
OUT2
= 2.5V ，我
OUT2
= 2A.
目标结点温度为90 ℃。
因此在信道1的导通损耗是：
在通道2的导通损耗是：
20200244
图5.外部自举的低V
IN
开关损耗的任一通道为：
www.national.com
14
