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IRG4PC60F-PPbF
100000
VGE = 0V ，
F = 1 MHz的
资本投资者入境计划= C + CGC ，C
ge
CE短路
CRES = C
ce
卓越中心= C + CGC
ce
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
20
V
CC
= 400V
I
C
= 40A
10000
15
电容（pF）
资本投资者入境计划
1000
10
卓越中心
100
5
CRES
10
0
100
200
300
400
500
0
0
50
100
150
200
250
300
VCE （ V）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
图。 7 -
典型的电容比。
集电极 - 发射极电压
图。 8
- 典型栅极电荷主场迎战
门极 - 发射极电压
8.00
VCC = 480V
VGE = 15V
TJ = 25°C
7.00
I C = 60A
100
RG = 5.0
VGE = 15V
总的开关损耗（兆焦耳）
总的开关损耗（兆焦耳）
VCC = 480V
IC = 120A
6.00
10
IC = 60A
5.00
IC = 30A
4.00
0
10
20
30
40
50
1
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160
R G ，栅极电阻（
)
T J ，结温（ ° C）
图。 9
- 典型的开关损耗与门
阻力
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图。 10
- 典型的开关损耗与
结温
5
