IRG4PC60F-PPbF
电气特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
参数
MIN 。 TYP 。
V
（ BR ） CES
集电极 - 发射极击穿电压
600
发射极 - 集电极击穿电压
16
V
（ BR ）， ECS
V
（ BR ） CES
/T
J
温度COEFF 。的击穿电压 -
0.13
1.5
V
CE （ON）的
集电极 - 发射极饱和电压
1.7
1.5
V
GE （日）
栅极阈值电压
3.0
V
GE （日）
/T
J
温度COEFF 。阈值电压
-11
g
fe
正向跨导
36
69
I
CES
零栅极电压集电极电流
I
GES
门极 - 发射极漏电流
MAX 。单位
条件
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 250A
V
V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0A
V /°C， V
GE
= 0V时，我
C
= 1.0毫安
V
GE
= 15V
1.8
I
C
= 60A
I
C
= 90A
参照图2 ， 5
V
I
C
= 60A ，T
J
= 150°C
6.0
V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
- 毫伏/°C， V
CE
= V
GE
, I
C
= 250A
S
V
CE
=
100V ，我
C
= 60A
250
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V
A
2.0
V
GE
= 0V, V
CE
= 10V ，T
J
= 25°C
1000
V
GE
= 0V, V
CE
= 600V ，T
J
= 150°C
±100 N A V
GE
= ±20V
开关特性@ T
J
= 25 ℃（除非另有规定）
Q
g
Q
ge
Q
gc
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
on
E
关闭
E
ts
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
E
ts
L
E
C
IES
C
OES
C
水库
参数
总栅极电荷（导通）
门 - 发射极电荷（导通）
门 - 收集电荷（导通）
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
导通开关损耗
关断开关损耗
总开关损耗
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总开关损耗
内置发射器电感
输入电容
输出电容
反向传输电容
分钟。
典型值。
290
40
100
42
66
310
170
0.30
4.6
4.9
39
66
470
300
8.8
13
6050
360
66
MAX 。单位
条件
340
I
C
= 40A
47
nC
V
CC
= 400V
参见图。 8
130
V
GE
= 15V
T
J
= 25°C
ns
360
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
220
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 10，11 ，13，14
6.3
T
J
= 150°C,
I
C
= 60A ，V
CC
= 480V
ns
V
GE
= 15V ，R
G
= 5.0
能量损失包括"tail"
mJ
参见图。 13，第14
nH
从包装测量5毫米
V
GE
= 0V
pF
V
CC
= 30V
参见图。 7
= 1.0MHz的
注意事项：
重复评价; V
GE
= 20V ，脉冲宽度有限的
最大。结温。 （参见图13b）的
V
CC
= 80%(V
CES
), V
GE
= 20V ， RG = 5.0W 。
（参见图13A ）
重复评价;脉冲宽度有限的最大
结温。
脉冲宽度
≤
为80μs ;占空比
≤
0.1%.
脉冲宽度5.0μs ，单发射击。
当安装在1"正方形板（ FR-4或G- 10
材料）。对于推荐的足迹和焊接
技术是指应用笔记＃ AN- 994 。
请参考应用笔记＃ 1023 ， "Surface安装的
大Devices."
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