温湿度& （ THB ）
测试电路
条件
偏见：
最大的VCE = 100 ％额定
V
（ BR ） CES
高达500V ： 500V的
额定所有设备
V
（ BR ） CES
DUT
D
DC
BIAS
大于500V *
温度：
85°C
相对湿度： 85 ％
持续时间：
2000小时名义
测试点：
168, 500, 1000,
1500年， 2000小时名义。
*本周以来制造设备
代码9640所施加的偏置：
V
（ BR ） CES
=
VMAX或100V而过的小
D
=二极管只CoPack设备
用途
温度和湿度偏压测试非气密性封装中，对
设备的温度和湿度的极端检查的能力
包承受潮湿环境的有害作用。
失效模式
有已观察到两个主要的失效模式。第一次失败
模式来对水分子的侵入到活性的结果
区域中的管芯的表面上。一旦有足够的水在该地区积累了
电场终止结构上的模具中，该字段的扰动
开始降低器件的击穿特性。
已观察到的第二故障模式是由于阴极腐蚀
铝发射极焊盘。与第一次失败模式，将水入口到顶部
的模具中。还有，在施加偏压的情况下，电流流过的几
水单层将开始使焊接区以使其溶解。最终。该
腐蚀将进行到这种地步器件的电流能力是
增加而变得不稳定。
这两种故障模式的主导地位基本上是由确定
偏置量测试时在座。在低的偏置条件下，腐蚀
缓慢进行，所以第一个故障模式会进行得非常迅速，设备将
失败是由于导通电阻之前，击穿特性会降低。
敏感的参数
V
（ BR ） CES ，
V
CE （ON）的
