PD - 94337B
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
IRF7NA2907
75V的N通道
产品概述
产品型号
IRF7NA2907
BVDSS
75V
R
DS （ ON）
I
D
0.0045 75A*
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲
电路。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
6.4
-55到150
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/18/02
