PD - 94337B
HEXFET
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
IRF7NA2907
75V的N通道
产品概述
产品型号
IRF7NA2907
BVDSS
75V
R
DS （ ON）
I
D
0.0045 75A*
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲
电路。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
6.4
-55到150
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/18/02
IRF7NA2907
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
75
—
—
2.0
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.08
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.0045
4.0
—
20
250
100
-100
375
60
150
40
125
175
75
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 250μA
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 75A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS = 15V ， IDS = 75A
VDS = 75V ， VGS = 0V
VDS = 60V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 45A
VDS = 60V
VDD = 38V ， ID = 45A ，
VGS = 10V ， RG = 1.2Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
l
西塞
OSS
RSS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH的从排水的中心测量
垫到源极焊盘的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
12000
2280
610
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
75*
300
0.95
175
850
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 75A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
0.5
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
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HEXFET
功率MOSFET
表面贴装（ SMD - 2 ）
IRF7NA2907
75V的N通道
产品概述
产品型号
IRF7NA2907
BVDSS
75V
R
DS （ ON）
I
D
0.0045 75A*
第七代HEXFET
从功率MOSFET
国际整流器利用先进的加工
技术，以实现尽可能低的导通电阻
每个芯片单位面积。这样做的好处，并结合
开关速度快和坚固耐用的设备的设计
该HEXFET功率MOSFET是众所周知的，
为设计者提供了一个非常有效的装置
用于在多种应用中使用。
这些装置非常适合于应用程序，例如
如开关电源，马达控制， invert-
器，砍砸器，音频放大器和高能量脉冲
电路。
SMD-2
产品特点：
n
n
n
n
n
n
n
n
低R
DS （ ON）
额定雪崩能量
动态的dv / dt额定值
简单的驱动要求
易于并联的
密封式
表面贴装
重量轻
绝对最大额定值
参数
ID @ VGS = 10V ， TC = 25°C
ID @ VGS = 10V ， TC = 100℃
IDM
PD @ TC = 25°C
VGS
EAS
IAR
EAR
dv / dt的
TJ
T英镑
连续漏电流
连续漏电流
漏电流脉冲
马克斯。功耗
线性降额因子
栅极 - 源极电压
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
工作结
存储温度范围
包安装表面温度。
重量
*目前被封装的限制
对于脚注参考最后一页
300 （ 5秒）
3.3 （典型值）
75*
75*
300
250
2.0
±20
500
75
25
6.4
-55到150
单位
A
W
W / ℃，
V
mJ
A
mJ
V / ns的
o
C
g
www.irf.com
1
02/18/02
IRF7NA2907
电气特性
@ TJ = 25 ° C（除非另有说明）
参数
BVDSS
漏极至源极击穿电压
ΔBV
细数DSS / ΔT 温度系数
电压
RDS （ ON）
静态漏 - 源极导通状态
阻力
VGS （ TH）
栅极阈值电压
政府飞行服务队
正向跨导
IDSS
零栅极电压漏极电流
民
75
—
—
2.0
130
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值最大值单位
—
0.08
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
4.0
—
—
0.0045
4.0
—
20
250
100
-100
375
60
150
40
125
175
75
—
V
V /°C的
V
S( )
A
测试条件
VGS = 0V ，ID = 250μA
参考至25℃ ， n = 1.0毫安
VGS = 10V ，ID = 75A
VDS = VGS ，ID = 250μA
VDS = 15V ， IDS = 75A
VDS = 75V ， VGS = 0V
VDS = 60V ，
VGS = 0V ， TJ = 125°C
VGS = 20V
VGS = -20V
VGS = 10V ，ID = 45A
VDS = 60V
VDD = 38V ， ID = 45A ，
VGS = 10V ， RG = 1.2Ω
IGSS
IGSS
Qg
Q GS
Q GD
td
（上）
tr
td
（关闭）
tf
LS + LD
l
西塞
OSS
RSS
栅极 - 源极漏进
栅极 - 源极漏反
总栅极电荷
栅极 - 源极充电
栅极 - 漏极（米勒?? ??）充电
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
总电感
nA
nC
ns
nH的从排水的中心测量
垫到源极焊盘的中心
VGS = 0V ， VDS = 25V
F = 1.0MHz的
输入电容
输出电容
反向传输电容
—
—
—
12000
2280
610
—
—
—
pF
源极 - 漏极二极管额定值和特性
参数
IS
ISM
VSD
吨RR
QRR
吨
连续源电流（体二极管）
脉冲源电流（体二极管）
二极管的正向电压
反向恢复时间
反向恢复电荷
向前开启时间
最小典型最大单位
—
—
—
—
—
—
—
—
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—
75*
300
0.95
175
850
测试条件
A
V
ns
nC
T
j
= 25 ℃， IS = 75A ，V GS = 0V
TJ = 25°C ， IF = 45A ， di / dt的
≤
100A/s
VDD
≤
25V
固有的导通时间是可以忽略不计。接通速度基本上由LS + LD控制。
*目前被封装的限制
热阻
参数
RthJC
结到外壳
最小典型最大单位
—
—
0.5
° C / W
测试条件
注：对应的香料和军刀车型都可以在网站上。
对于脚注参考最后一页
2
www.irf.com
QQ：2881677436 复制
