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ICS83023I
电路
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
集成
ICS83023I
系统公司
D
UAL
, 1-
TO
-1
TSD
D
。微分
-
TO
-LVCMOS牛逼
ranslator
/B
UFFER
注：如果运行条件超出绝对下上市
最大额定值可能会造成永久性损坏
装置。这些评价只强调规范。功能
产物在这些条件下或任何有条件的操作
超越那些在上市系统蒸发散
DC特性
or
AC
特征
是不是暗示。暴露在绝对马克西
妈妈额定值条件下长时间可能会影响的精良
UCT可靠性。
A
BSOLUTE
M
AXIMUM
R
ATINGS
电源电压，V
DD
输入，V
I
产出，V
O
4.6V
-0.5V到V
DD
+ 0.5 V
-0.5V到V
DD
+ 0.5V
封装的热阻抗，
θ
JA
112.7 ℃/ W（ 0 LFPM ）
贮藏温度，T
英镑
-65 ℃150 ℃的
T
ABLE
3A 。 P
OWER
S
UPPLY
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
DD
I
DD
参数
正电源电压
正电源电流
测试条件
最低
3.0
典型
3.3
最大
3.6
20
单位
V
mA
T
ABLE
3B 。 LVCMOS / LVTTL DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
V
OH
V
OL
参数
输出高电压;注1
输出低电压;注1
测试条件
最低
2.6
0.5
典型
最大
单位
V
V
注1 ：输出端接50
Ω
到V
DD
/ 2 。参见参数测量部分， 3.3V输出负载测试电路。
T
ABLE
3C 。
。微分
DC
极特
,
V
DD
= 3.3V ± 0.3V ，T
A
= -40°C
TO
85°C
符号
I
IH
I
IL
V
PP
参数
输入高电流
输入低电平电流
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
nCLK0 ， nCLK1
CLK0 ， CLK1
测试条件
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
V
IN
= 0V, V
DD
= 3.6V
-150
-5
1.3
V
DD
- 0.85
最低
典型
最大
5
150
单位
A
A
A
A
V
V
峰 - 峰值输入电压
0.15
共模输入电压;
GND + 0.5
V
CMR
注1,2
注1 ：对于单端应用程序
,
最大输入电压为CLKX ， nCLKx为V
DD
+ 0.3V.
注2 ：共模电压定义为V
IH
.
83023AMI
www.icst.com/products/hiperclocks.html
3
REV 。 B 2006年1月18日
IDT / ICS
双通道， 1对1的差分至LVCMOS翻译/缓冲器
3
ICS83023I
